Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U001305, 0110U007149 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 60 Лм/Вт. Назва етапу роботи Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 27-01-2011 Організація виконавець Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис етапу Проведено ряд експериментальних досліджень: дослідження кристалічної досконалості та складу гетероструктур AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203 методом високороздільної рентгенівської дифрактометрії; дослідження густини дислокацій епітаксійних структур, отриманих методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань; дослідження вольт-фарадних та вольт-амперних (ват-амперних) характеристик епітаксійних світлодіодних структур AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203; дослідження спектральних характеристик світлодіодних структур AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203; дослідження впливу температурних режимів експлуатації гетероструктур на їх деградаційні характеристики; дослідження впливу параметрів гетероструктур AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203 на процес деградації світлодіодів. Визначено, що збільшення щільності струму більш істотно впливає на деградацію кристалів на основі InGaN/GaN-гетероструктур, тому що призводить до нерівномірного розподілу температури в гетероструктурі та, як наслідок, локальному перегріву її активної області. Цей факт необхідно враховувати для визначення оптимального режиму роботи як при розробці світлодіодів, так і при проектуванні світлодіодних пристроїв. Розроблено рекомендації щодо температурних режимів при експлуатації гетероструктур для забезпечення оптимальних деградаційних характеристик. Розроблено схему конструкції гетероструктури на основі нітриду галію для блакитного діапазону довжин хвиль випромінювання. Доопрацьована технологічна інструкція на технологію виготовлення світлодіодних структур AlхGaN1-х/InхGa1-хN/GaN/Al203. Опис продукції Технологія призначена для виготовлення епітаксійних гетероструктур на основі нітриду галію блакитних кольорів світіння на підкладках сапфіра МОС-гідридним методом на установці D-180. Досліджено вплив таких параметрів гетероструктури як густина дислокацій, склад і рівень легування епітаксійних шарів, товщина буферного шару, розорієнтація підкладки на вольт-амперні і вольт-фарадні характеристики гетеропереходів, що прямо пов'язано із деградацією характеристик над'яскравих світлодіодів. Проведена робота дала змогу отримати практичні дані по впливу зміни вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик гетеропереходів на деградаційні процеси в гетероструктурах і поліпшити експлуатаційні характеристики світлодіодних структур, а також визначити чіткі шляхи по удосконаленню надійності кінцевої продукції (над'яскравих світлодіодів) та створенню нових світлодіодних приладів. Автори роботи Айвазян В.Г. Бобженко С.В. Губіш І.В. Калашнік С.А. Омельяненко М.Ю. Пономаренко А.О. Сидорук Ю.К. Снітко А.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити