Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0211U001318, 0106U004182 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження радіаційних ефектів в напівпровідникових матеріалах та приладах сучасної мікроелектроніки (кремнію, нітриду галію, арсеніду галію). Назва етапу роботи Керівник роботи Данильченко Борис Олександрович, Дата реєстрації 31-01-2011 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження -монокристалічний Si, сполуки Si-Ge, гетероструктури AlGaN/GaN, GaAs. Мета досліджень: вивчення кінетики накопичення та відпалу радіаційних дефектів за участю міжвузловинних атомів С та О в Si та Si-Ge сполуках; вивчення ефектів що виникають у Si при одночасній дії опромінення та високої температури; дослідження природи радіаційної стійкості GaAs гетероструктур та вивчення транспортних явищ у надвисоких електричних полях в AlGaN/GaN гетероструктурах. Методи дослідження - ІЧ спектроскопія, ефект Хола, фотопровідність, імпульсні ВАХ, комп'ютерне моделювання процесів дефектоутворення. Досліджено шляхи формування радіаційного дефекту CIOI в кремнії і в Si1­xGex. Розроблена модель, що пояснює залежність накопичення радіаційних дефектів в Si від інтенсивності та температури опромінення. Досліджено природу деградації GaAs сонячних комірок при опроміненні. Визначено час життя оптичного LO-фонона в GaN, при його розпаді за участю акустичних фононів. Опис продукції Проведено дослідження властивостей вуглецю, який виникає при опроміненні в сполуках Si1­xGex. Досліджено вплив електронного опромінення на параметри сонячних комірок на основі GaAs. Порівнюючи ефективності утворення радіаційних дефектів і рекомбінаційні властивості двох типів зразків n-Si, легованих фосфором або термодонорами, встановлено, що саме VO- комплекси є основними центрами рекомбінації нерівноважних носіїв заряду. Визначено час життя оптичного LO-фонона в GaN. Автори роботи Войтович Василь Васильович Войціховська Олена Олександрівна Данильченко Борис Олександрович Крайчинський Анатолій Миколайович Красько Микола Миколайович Неймаш Володимир Борисович Помозов Юрій Васильович Соснін Михайло Георгійович Трипачко Микола Олександрович Хіруненко Людмила Іванівна Ясковець Іван Іванович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
3
Керівник: Данильченко Борис Олександрович. Дослідження радіаційних ефектів в напівпровідникових матеріалах та приладах сучасної мікроелектроніки (кремнію, нітриду галію, арсеніду галію).. (Етап: ). Інститут фізики НАН України. № 0211U001318
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-22