Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U001381, 0108U000635 , Науково-дослідна робота Назва роботи Квантоворозмірні структури на базі напівпровідникових матеріалів ZnSxSe1-x отриманих методом PAVPE. Назва етапу роботи Керівник роботи Коваленко Олександр Володимирович, Дата реєстрації 01-02-2011 Організація виконавець Дніпропетровський національний університет імені Олеся Гончара Опис етапу Об'єкт дослідження -експериментальні гетероепітаксіальні структури та квантоворозмірні структури отримані методом фотостимуляційної газової епітаксії, оксидна кераміка. Mета дослiдження -розробка технології зрощування нових експериментальних гетероепітаксіальних структур з квантовими ямами методом фотостимуляційної газової епітаксії та створення і дослідження нових оксидно-керамічних матеріалів з неомічною електропровідністю. Методи дослідження - аналіз оптичних властивостей зразків експериментальних гетероепітаксіальних методами люмінесцентної та екситонної спектроскопії, оптична та електронна мікрофотографія, рентгенодифракційний аналіз, статистичний аналіз електричних характеристик, температурних залежностей ємністі та електричної провідності. Методом фотостимуляційної газової епітаксії отримано експериментальні гетероепітаксіальні та квантоворозмірні структури у вигляді квантових точок та квантових дротів. Встановлено зв'язок між технологічними параметрами синтезу епітаксійних шарів та їх кристалічною структурою, морфологією поверхні та оптичними властивостями. Показана можливість використання в якості хімічних сенсорів на водень полікристалічних шарів та нанокристалів ZnSe. Доведено, що внаслідок процесів самоорганізації квантові точки ZnSe на підкладках GaAs(100) тяжіють до бімодального розподілу за розмірами. Встановлено, що при сильному збудженні таких квантових точок в структурі виникає явище спектральної дифузії, а в маленьких за розміром нанокристалах ZnSe утворюються біекситони. Обґрунтовано використання в якості хімічних сенсорів на водень полікристалічних шарів ZnSe та ниткуватих НК ZnSe зрощених на підкладках GaAs(100). Розглянуто моделі електропровідності кераміки системи SnO2-Bi2O3-Co3O4-Nb2O5-Cr2O3 з різним вмістом оксиду вісмуту у вологому повітряному середовищі. Здатність електропровідності оксидно-індієвої кераміки змінюватись від вологості оточуючого середовища, дозволяє використовувати її в якості сенсорів вологості. Потенційним споживачем є організації - розробники та виготовлювачі електронних приладів для захисту апаратури від перевантажень струмом і напругою та хімічних сенсорів. Результати можуть бути використані для розробки нових і удосконалення існуючих керамічних сенсорів та нелінійних елементів для створення нових приладів мікро- і оптоелектроніки. Отримані результати відповідають світовому рівню. Достовірність, точність і коректність досліджень гарантує багаторазова перевірка й повторюваність результатів. Опис продукції Експериментальна технологія дозволяє отримати методом PAVPE експериментальні гетероепітаксіальні та квантоворозмірні структури у вигляді квантових точок та квантових дротів. Встановлено зв'язок між технологічними параметрами синтезу епітаксійних шарів та їх кристалічною структурою, морфологією поверхні та оптичними властивостями. Показана можливість використання в якості хімічних сенсорів на водень полікристалічних шарів та нанокристалів ZnSe. Автори роботи Гапонов Олексій Володимирович Дягтерьов Артем Васильович Мазурик Станіслав Васильович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити