Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U001537, 0110U004739 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології та дослідження підсилення і генерації субтерагерцового та терагерцового випромінювання з використанням нанорозмірних напівпровідникових структур на основі сполук нітридів групи III Назва етапу роботи Керівник роботи Кочелап В'ячеслав Олександрович, Дата реєстрації 10-02-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Представлені результати розробки технології та дослідження підсилення та генерації терагерцового та суб- терагерцового випромінювання з використанням нанорозмірних напівпровідникових структур на основі сполук нітридів групи ІІІ. Побудовано теорію струмопереносу в діодних GaN структурах в стаціонарних і надвисокочастотних режимах. Вивчено квантовий транспорт гарячих електронів та фононів в умовах прикладання надсильних (200 кВ.см) імпульсних (10 нс) електричних полів в діапазоні температур від 4 до 300 К. Отримано рекордні швидкості руху носіїв (2.10^7 см.с). Опис продукції Результати розробки технології виготовлення та дослідження нанорозмірних діодів на основі нітридів групи III з контактними системами, що забезпечують струмоперенос при великих електричних зміщеннях Автори роботи Бєляєв О.Є. Данільченко Б.О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити