Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U001596, 0110U006337 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології нанорозмірних структур з плівками германію та його сполук з кремнієм і арсенідом галію на підкладках GaAs та Si для виготовлення на їх основі електронних приладів. Назва етапу роботи Керівник роботи Венгер Євген Федорович, Дата реєстрації 14-02-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт розробок та дослідження: нанорозмірні плівки Ge на GaAs. Мета роботи: отримання та дослідження нанорозмірних плівок Ge на GaAs для створення на їх основі нових електронних приладів. Методи дослідження: атомно-силова мікроскопія, скануюча силова кельвін-зондова мікроскопія та електронна мікроскопія на просвічування з високою роздільною здатністю (HRTEM). У звіті міститься інформація про технологію виготовлення нанорозмірних плівок Ge на GaAs методом термічного осадження у вакуумі, результати досліджень морфології поверхні та гетерограниці, а також результати досліджень явищ струмопереносу та розсіювання носіїв заряду з використанням ефекту Холла та електропровідності. Робота містить також результати розробки p-i-n гетеродіода (Gep+/i-Ge/GaAsn/GaAsn+) з нанорозмірним i-шаром та дослідження його вольт-амперних характеристик. Опис продукції Результати фізико-технологічних досліджень нанорозмірних структур із плівок германію на підкладках GaAs для виготовлення на їх основі електронних приладів. Результати розробки p-i-n гетеродіода (Gep+/i-Ge/GaAsn/GaAsn+) з нанорозмірним i-шаром та дослідження його вольт-амперних характеристик. Автори роботи Венгер Євген Федорович Кулик Олена Сергіївна Мітін Вадим федорович Матвеева Людмила Олександрівна Неміш Іван Юрійович Холевчук Володимир Васильович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити