Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U001751, 0109U005632 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нові халькогенідні матеріали для параметричної генерації світла: одержання та властивості Назва етапу роботи Керівник роботи Олексеюк Іван Дмитрович, Дата реєстрації 31-01-2011 Організація виконавець Волинський національний університет імені Лесі Українки Опис етапу Досліджено та побудовано ряд політермічних та ізотермічних перерізів і проекції поверхонь ліквідусу квазіпотрійних систем CdSe-Ga2Se3-Bi2Se3 і HgSe-Ga2Se3-Bi2Se3. Підібрано концентраційні межі та умови одержання монокристалів HgGa2Se4 i CdGa2Se4 розчин-розплавним методом. Встановлено існування та одержано монокристали твердих розчинів системи AgGaGe3Se8-AgGaGeS4. Рентгенівським методом порошку розшифрована кристалічна структура і встановлено механізм їх утворення. Розроблена технологія одержання монокристалів Tl3PbCl5 i TlPb2Cl5 великого розміру. Опис продукції Досліджено ряд політермічних та ізотермічних перерізів і проекції поверхонь ліквідусу квазіпотрійних систем CdSe-Ga2Se3-Bi2Se3 і HgSe-Ga2Se3-Bi2Se3. Підібрано концентраційні межі та умови одержання монокристалів HgGa2Se4 i CdGa2Se4 розчин-розплавним методом. Встановлено існування та одержано монокристали твердих розчинів системи AgGaGe3Se8-AgGaGeS4. Рентгенівським методом порошку розшифрована кристалічна структура і встановлено механізм їх утворення. Розроблена технологія одержання монокристалів Tl3PbCl5 i TlPb2Cl5 великого розміру. Автори роботи Піскач Л.В. Панкевич В.З. Парасюк О.В. Юрченко О.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити