Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U001996, 0107U012818 , Науково-дослідна робота Назва роботи Теорія цільового керування радіаційною чутливістю іонних кристалів Назва етапу роботи Керівник роботи Чорній Зеновій Павлович, Дата реєстрації 28-02-2011 Організація виконавець Національний лісотехнічний університет України Опис етапу Розрахунки показали, що максимальною радіаційною чутливістю володіють іонні кристали, що містять заряджені точкові дефекти. До таких кристалів належать кристали типу Me2+X-Y- (де Ме2+ - Ca2+, Sr2+, Ba2+, X-, Y- = F-, Cl-, Br-), а також кристали CaF2-O2- і SrF2-O2-. Як показали експериментальні дослідження, дані класи кристалів є перспективними матеріалами для квантової оптики і комп'ютерної флюорографії. Опис продукції Створена теорія, в рамках якої в одномірній моделі розраховані радіаційні параметри іонних матеріалів в залежності від природи матеріалу і його структурних дефектів, електричного заряду точкових дефектів та їх концентрації. Проведена класифікація іонних матеріалів за їх радіаційними параметрами. Розраховані радіаційні параметри перспективних матеріалів для квантової електроніки та комп'ютерної техніки. Автори роботи Пірко І.Б. Салапак В.М. Чорній Зеновій Павлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити