Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U002296, 0109U005927 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нанорозмірна кластеризація в AlInGaN епітаксійних шарах і гетероструктурах для світловипромінюючих приладів і фотоелектричних перетворювачів. Назва етапу роботи Керівник роботи Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 01-02-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Методом скануючої конфокальної спектроскопії комбінаційного розсіювання світла (КРС) і високороздільної рентгенівської дифракції досліджено просторовий розподіл деформацій і структурної якості в InxGa1-xN/GaN шарах одно і багатошарової світлодіодних структур, отриманих методом МОС-гідридної епітаксії (MOCVD) на сапфірових підкладках орієнтації (0001). Показано, що пружні деформації практично релаксують на гетерограниці між товстим буферним шаром GaN і InхGa1-хN/GaN буферної надгратки (НГ). Встановлено, що шари GaN в НГ знаходяться в стані розтягу, а шари твердого розчину - в стані стиску. В абсолютному значенні деформації розтягу шарів GaN менші, ніж деформації стиску шарів InGaN. Показано, що шари НГ є менш дислокаційними в порівнянні з буферними шарами з більш хаотичним розподілом дислокацій. Дослідження спектрів мікро-КРС при скануванні по глибині багатошарової структури дозволили отримати прямий доказ наявності градієнтного асиметричного профілю розподілу деформацій і кристалічної якості епітаксіальних шарів нітридних шарів вздовж напрямку росту. Показано, що інтенсивність випромінювання InуGa1-уN КЯ значно перевищує (більш ніж в 30 разів) випромінювання бар'єрних шарів GaN, що свідчить про високу ефективність захвата носіїв квантовою ямою. Показано, що ефект різної орієнтації кристалітів в полікристалічних шарах нітридів може приводити до додаткового уширення фононних смуг, а деформаційні поля і їх неоднорідність впливають на їх ширину і частотне положення. Опис продукції Унікальним неруйнівним методом дослідження фононних і електронних збуджень в А3N структурах з субмікронним розділенням є мікроспектроскопія комбінаційного розсіяння світлі і фотолюмінесценція з використанням конфокального скануючого мікроскопа. Субмікронне просторове позиціонування фокусуючої точки збуджуючого лазерного випромінювання дозволяє отримати 3D картини розподілу компонентного складу (напружень) з локальністю в латеральній площині 150-500 нм з покроковою зміною глибини зондування до декількох мікрон та з аксіальним розділенням по глибині структури 300-600 нм. Автори роботи Брикса Вадим Петрович Коломис Олександр Федорович Корбутяк Дмитро Васильович Крюченко Юрій Васильович Ніколенко Андрій Сергійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити