Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U004281, 0110U007192 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження магнітних і кінетичних властивостей напівмагнітних напівпровідникових твердих розчинів на основі халькогенідів ртуті та впливу на ці властивості термообробки кристалів в парах компонент Назва етапу роботи Керівник роботи Мар"янчук Павло Дмитрович, Дата реєстрації 01-02-2011 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу 1. При виконанні проекту одержано (методом Бріджмена) кристали напівмагнітних напівпровідникових твердих розчинів на основі халькогенідів ртуті: Hg1-xMnxSe, Hg1-xMnxTe, Hg1-xMnxS, Hg1-xMnxTe1-zSez, Hg1-xMnxSe1-zSz, Hg1-xMnxTe1-zSz, Hg1-x-yMnxFeySe, Hg1-x-yMnxFeyTe, Hg1-x-yMnxFeyS, Hg1-x-yMnxFeySe1-zSz, Hg1-x-yMnxFeyTe1-zSz, Hg1-x-yMnxFeySe1-zTez, (3HgTe)1-x(Al2Te3)x, (3HgSe)1-x(Al2Se3)x та (3HgS)1-x(Al2S3)x (леговані 3d-елементами) та встановлено (на основі комплексних магнітних, кінетичних та оптичних досліджень) основні закономірності та особливості зміни зонного спектру, s-d, p-d, d-d, Mn-халькоген-Mn, Fe-халькоген-Fe обмінних взаємодій, невпорядкованості напівмагнітних напівпровідникових твердих розчинів на основі халькогенідів ртуті під дією різних факторів. Опис продукції Оптимізовані режими одержання кристалів напівмагнітних напівпровідникових твердих розчинів на основі халькогенідів ртуті з властивостями, які задовольняють умовам використання у приладах спінтроніки та електроніки. Проаналізовано вплив термообробки в парах компонент на властивості кристалів напівмагнітних напівпровідникових твердих розчинів на основі халькогенідів ртуті. Термообробка зразків у парах сірки та збільшення вмісту сірки в кристалах Hg1-xMnxTe1-ySy приводить до зростання коефіціента термоелектричної добротності (Z) (при Т=300 К Z~(2-3)?10-3, град-1), що вказує на можливість використання даних матеріалів в термоелектричних пристроях. Після термообробки зразків в парах компонент виявлено гігантський відносний магнітоопір (більше 300%) в Hg1-xMnxTe1-ySy (при складах близьких до переходу "безщілинний напівпровідник - звичайний напівпровідник"), який обумовлений великими рухливостями носіїв заряду (що може мати використання в приладах електроніки і спінтроніки). Наявність гігантського відносного ма Автори роботи Андрущак Галина Олегівна Димко Лариса Миколаївна Козярський Іван Петрович Козярський Дмитро Петрович Майструк Едуард Васильович Мар"янчук Павло Дмитрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити