Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0211U004838, 0110U003974 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології одержання захисних високоомних шарів нанокристалічного карбіду кремнію для підвищення надійності твердотільних потужних приладів діапазону надвисоких частот Назва етапу роботи Керівник роботи Пузіков Вячеслав Михайлович, Дата реєстрації 24-02-2011 Організація виконавець Інститут монокристалів НАН України Опис етапу Виконано модернізацію іонно- плазмової системи. Проведено оптимізацію технологічного процесу виготовлення тестових гетероструктур наноструктурований SiC/Si. Розроблено базову конструкцію та технологічну схему виготовлення параметричного ряду мезаструктур високовольтних НВЧ pin діодів з використанням захисних покриттів на основі nc-SiC шарів 2 мкм Опис продукції Автори роботи Лопін Олександр Володимирович Семенов Олександр Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розробка технології одержання захисних високоомних шарів нанокристалічного карбіду кремнію для підвищення надійності твердотільних потужних приладів діапазону надвисоких частот
Керівник: Пузіков Вячеслав Михайлович. Розробка технології одержання захисних високоомних шарів нанокристалічного карбіду кремнію для підвищення надійності твердотільних потужних приладів діапазону надвисоких частот. (Етап: ). Інститут монокристалів НАН України. № 0211U004838
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-21


Роздрукувати цю сторінку