Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0211U005650, 0111U004614 , Науково-дослідна робота Назва роботи Ефекти підсилення комбінаційного розсіювання й випромінювання світла в напівпровідникових наноструктурах Назва етапу роботи Керівник роботи Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 19-12-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу На даному етапі роботи розроблено структури з наноострвцевими шарами благородних металів, необхідних для надчуттєвої оптичної діагностики напівпровідникових і молекулярних наносистем на основі посилення інтенсивності їхнього характеристичного розсіювання й випромінювання світла. Шляхом варіювання номінальної товщини плівок золота, від 4 до 20 нм, і температури їх відпалу, від 250 до 450 °С, були отримані масиви наноострівців різного розміру й поверхневої щільності. Виміру спектрів відбивання й пропускання таких наноструктур дозволили встановити залежності максимуму плазмонного поглинання від середніх розмірів наноострівців. Дані масиви металевих наноострівців були використані в якості SERS-підкладок для дослідження посилення КР напівпровідникової НЧ CdS, отриманих методом колоїдного синтезу. Опис продукції Використання унікального фізичного механізму SERS, що полягає у гігантському підсиленні характеристичного для кожної речовини непружного розсіяння світла поблизу наноструктурованої поверхні благородних металів (золота та срібла) за рахунок впливу електричного поля плазмонних збуджень у металевій наноструктурі, для реєстрації надмалої кількості речовини зумовлена Для реалізації цієї ідеї потрібно розвинути методику реалізації SERS за допомогою не випадкових, а контрольованих поверхнево-плазмонно-активних наноструктур. Автори роботи Джаган Володимир Миколайович Юхимчук Володимир Олександрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Валах Михайло Якович. Ефекти підсилення комбінаційного розсіювання й випромінювання світла в напівпровідникових наноструктурах. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0211U005650
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18