Реєстраційний номер
0211U005738,
0111U004981
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Технологія отримання і фізичні властивості графену та графеноподібних структур
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Стріха М.В.,
Дата реєстрації
23-12-2011
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Об'єкт дослідження: графен і графеноподібні структури. Мета роботи: виявлення нових особливостей у фізичних властивостях графену, зокрема теоретичне дослідження модуляційних ефектів на графені та теоретичне дослідження магнітотранспорту і сильнопольового транспорту в графені. Розроблено загальну теорію зумовленої носіями модуляції випромінювання легованим графеном на підкладці з високою діелектричною проникністю. Показано, що модулятор для телекомунікаційного близького ІЧ діапазону (~1.5 мкм) може бути базований на одношаровому чи багатошаровому графені, фіксованому на підкладці діелектрика з високою діелектричною проникністю (AlN, Al2O3, HfO2, ZrO2). Побудовано теоретичну модель для внутрішніх генераційно-рекомбінаційних (Г-Р) шумів у біполярному графені. На основі чисельних оцінок показано, що в моношарі графену Г-Р шуми домінують над шумами Найквіста й флікер-шумом. Отримані результати можуть мати велике практичне значення при створенні низькошумових пристроїв на основі графену в далекій інфрачервоній / терагерцовій оптоелектроніці та в аналоговій електроніці.
Опис продукції
Розроблено загальну теорію зумовленої носіями модуляції випромінювання легованим графеном на підкладці з високою діелектричною проникністю. Показано, що модулятор для телекомунікаційного близького ІЧ діапазону (~1.5 мкм) може бути базований на одношаровому чи багатошаровому графені, фіксованому на підкладці діелектрика з високою діелектричною проникністю (AlN, Al2O3, HfO2, ZrO2). Побудовано теоретичну модель для внутрішніх генераційно-рекомбінаційних шумів у біполярному графені. Отримані результати можуть мати велике практичне значення при створенні низькошумових пристроїв на основі графену в далекій інфрачервоній / терагерцовій оптоелектроніці та в аналоговій електроніці.
Автори роботи
Алєйніков А.Б.
Бєляєв О.Є.
Васько Ф.Т.
Кисельов В.С.
Кочелап В.О.
Наумов А.В.
Райчев О.Е.
Сафрюк Н.В.
Соколов В.М.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
