Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U005738, 0111U004981 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технологія отримання і фізичні властивості графену та графеноподібних структур Назва етапу роботи Керівник роботи Стріха М.В., Дата реєстрації 23-12-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження: графен і графеноподібні структури. Мета роботи: виявлення нових особливостей у фізичних властивостях графену, зокрема теоретичне дослідження модуляційних ефектів на графені та теоретичне дослідження магнітотранспорту і сильнопольового транспорту в графені. Розроблено загальну теорію зумовленої носіями модуляції випромінювання легованим графеном на підкладці з високою діелектричною проникністю. Показано, що модулятор для телекомунікаційного близького ІЧ діапазону (~1.5 мкм) може бути базований на одношаровому чи багатошаровому графені, фіксованому на підкладці діелектрика з високою діелектричною проникністю (AlN, Al2O3, HfO2, ZrO2). Побудовано теоретичну модель для внутрішніх генераційно-рекомбінаційних (Г-Р) шумів у біполярному графені. На основі чисельних оцінок показано, що в моношарі графену Г-Р шуми домінують над шумами Найквіста й флікер-шумом. Отримані результати можуть мати велике практичне значення при створенні низькошумових пристроїв на основі графену в далекій інфрачервоній / терагерцовій оптоелектроніці та в аналоговій електроніці. Опис продукції Розроблено загальну теорію зумовленої носіями модуляції випромінювання легованим графеном на підкладці з високою діелектричною проникністю. Показано, що модулятор для телекомунікаційного близького ІЧ діапазону (~1.5 мкм) може бути базований на одношаровому чи багатошаровому графені, фіксованому на підкладці діелектрика з високою діелектричною проникністю (AlN, Al2O3, HfO2, ZrO2). Побудовано теоретичну модель для внутрішніх генераційно-рекомбінаційних шумів у біполярному графені. Отримані результати можуть мати велике практичне значення при створенні низькошумових пристроїв на основі графену в далекій інфрачервоній / терагерцовій оптоелектроніці та в аналоговій електроніці. Автори роботи Алєйніков А.Б. Бєляєв О.Є. Васько Ф.Т. Кисельов В.С. Кочелап В.О. Наумов А.В. Райчев О.Е. Сафрюк Н.В. Соколов В.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити