Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U005991, 0110U005220 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізико-хімічних основ отримання низьковимірних сегнетоелектриків Назва етапу роботи Керівник роботи Гомоннай Олександр Васильович, Дата реєстрації 21-12-2011 Організація виконавець Інститут електронної фізики Національної академії наук України Опис етапу Розроблено і виготовлено прецизійну систему переміщення з регульованою швидкістю контейнера та кристалізаційний вузол установок вирощування квазідвовимірних монокристалів методом напрямленої кристалізації розплаву, який складається з печі опору з двома незалежно регульованими зонами і дозволяє проводити технологічні процеси до 900 С при різних температурних градієнтах. Проведено апробацію технологічних установок і технологічні процеси вирощування квазідвовимірних сегнетоелектриків TlGaSe2 і TlInS2. Вивчено структуру, процеси раманівського розсіювання світла, температурні залежності діелектричної проникності та двопроменезаломлення вирощених монокристалів TlGaSe2 і TlInS2 і з'ясовано можливості використання таких даних для вдосконалення технології вирощування таких об'єктів. Опис продукції Проведено апробацію технологічних установок і технологічні процеси вирощування квазідвовимірних сегнетоелектриків TlGaSe2 і TlInS2. Вивчено структуру, процеси раманівського розсіювання світла, температурні залежності діелектричної проникності та двопроменезаломлення вирощених монокристалів TlGaSe2 і TlInS2 і з'ясовано можливості використання таких даних для вдосконалення технології вирощування таких об'єктів. Автори роботи Ажнюк Юрій Миколайович Турок Іван Іванович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити