Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U006264, 0111U000608 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив умов росту на оптоелектронні властивості самоорганізованих наносистем нітридів ||| групи в порах оксиду алюмінію. Назва етапу роботи Керівник роботи Осінський Володимир Іванович, Дата реєстрації 03-03-2011 Організація виконавець Державне підприємство "Науково-дослідний інститут мікроприладів" НТК "Інститут монокристалів" НАН України Опис етапу При виконанні проекту розроблена напівпромислову технологію по заповненню пор анодованого пористого оксиду алюмінію напівпровідниковими наноструктурами твердих розчинів нітридів ІІІ групи. За допомогою анодування у різних електролітах тонких плівок Al на підкладках кремнію отримані темплетні шари анодованого оксиду алюмінію, які мають достатній ступінь гексагональної самоорганізації циліндричних нанопор для подальшого вирощування наноструктур GaN та ІnGaN та можуть витримувати високі температури росту нітридних сполук. Опис продукції Нові ефективні матеріали для отримання випромінювачів світла у видимому та ближньому ультрафіолетовому діапазоні та їх інтеграції з сучасною мікроелектронною технологією. Проблема інтеграції мікро- та оптоелектроніки на основі широкорозповсюдженої кремнієвої планарної технології постала ще в 70х рр. минулого сторіччя й не вирішена донині. Автори роботи Ляхова Н.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити