Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U006641, 0109U001414 , Науково-дослідна робота Назва роботи Наноматеріали напівпровідникових сполук AIVBVI для пристроїв електронної техніки нового покоління Назва етапу роботи Керівник роботи Фреїк Дмитро Михайлович, Дата реєстрації 02-03-2011 Організація виконавець Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника Опис етапу Методами атомно-силової скануючої мікроскопії встановлено, що основними механізми росту є утворення окремих тримірних пірамідальних наноструктур (механізм Фольмера-Вебера); комбінований пошаровий ріст 2D-плато (механізм Франка Ван дер Морве) і 3D-структур. Показано, що домінуючим механізмом розсіювання носіїв у наноструктурах ПМ-1/PbTe є дифузне розсіювання на поверхні, а для (0001)СТА/SnTe - на поверхні та міжзеренних межах. Встановлено, що отримані залежності кінетичних коефіцієнтів від часу t витримки плівок PbTe на повітрі пояснюються на основі простої двоносієвої моделі, яка враховує дифузійні процеси кисню та вакансій свинцю до поверхні. Якщо у тонких плівках PbTe кисень заміщує вакантні місця телуру тільки на початкових етапах їх витримки на повітрі, а переважаючим процесом є дифузія вакансій свинцю до поверхні, то у товстих плівках цим процесом можна знехтувати і враховувати лише взаємодію із киснем. Для товстих плівок дифузійні процеси позитивно впливають на коефіцієнт термоелектричної потужності, збільшуючи його значення. Показано, що поєднання моделі двох носіїв з дифузійними процесами дозволяє оцінити внесок в електричні параметри електронів і дірок окремо, що є корисним у такого роду дослідженнях. Визначено технологічні фактори, що забезпечують наперед задані структурні та електричні характеристики, необхідні для конкретних використань у пристроях електронної техніки нового покоління: термоелектричні мікромодулі для холодильних пристроїв, нанолазери в інфрачервоній області оптичного спектру. Опис продукції Розроблена модель газодинамічного потоку пари сполук AIVBVI (PbTe, PbSe, PbS, SnTe) у циліндричному та конічному каналах та розраховані основні параметри: пересичення, густина, коефіцієнт і швидкість конденсації, критичні температура і координата. Досліджено вплив технологічних факторів, параметрів пари, роду підкладки на формування наноструктур, їх морфологічні особливості. Встановлено умови росту нанокристалів із заданою орієнтацією на аморфних (скло, поліамід) і монокристалічних (кремній, слюда, фтористий барій) підкладках. Вивчено електронні процеси, механізми проходження струму, поглинання та розсіювання електромагнітного випромінювання в інфрачервоній області оптичного спектру. Оптимізована технологія отримання наноструктур на основі сполук AIVBVI для нового покоління пристроїв наноелектроніки, лазерів на квантових точках, нанотермоелектричний матеріал із покращеною добротністю. Автори роботи Горічок Ігор Володимирович Дундза Богдан Степанович Межиловська Любов Йосипівна Прокопів Володимир Васильович Соколов Олександр Пеонідович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити