Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U006642, 0109U007537 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технологія термоелектричних матеріалів на основі телуриду свинцю для середньотемпературних каскадних модулів Назва етапу роботи Керівник роботи Фреїк Дмитро Михайлович, Дата реєстрації 02-03-2011 Організація виконавець Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника Опис етапу Розроблено технологію та сконструйовано установки для виготовлення брикетів термоелектричного матеріалу, розроблено та реалізовано нову методику дослідження термоелектричних параметрів напівпровідникових матеріалів у широкому інтервалі температур (77-1000) К, досліджено вплив технологічних умов приготування термоелектричного матеріалу на його властивості. Методом термодинамічних потенціалів описано дефектоутворення в кристалах плюмбум телуриду при двотемпературному відпалі в парі телуру. Запропоновано кристалоквазіхімічні формули для кристалів n-PbTe при взаємодії з телуром з урахування диспропорціонування зарядового стану вакансій у катіонній підгратці і міжвузлового Плюмбуму. Визначено вплив типу і зарядового стану домінуючих дефектів на реалізацію термодинамічного n-р-переходу в нестехіометричного плюмбум телуриду.5. Методами кристалоквазіхімії проаналізовано механізми легування кобальтом і нікелем кристалів n- і p-PbTe. Встановлено, що як при заміщенні октаедричних порожнин (ОП), так і при вкоріненні у тетраедричні порожнини (ТП) щільної упаковки атомів телуру кристалічної гратки телуриду свинцю перехідні елементи Co і Ni виявляють донорну дію. Показано, що результати кристалоквазіхімії підтверджуються співставленням іонних (атомних, ковалентних) радіусів і розмірів ОП і ТП. Проведено кристалоквазіхімічний аналіз дефектної підсистеми для нестехіометричного плюмбум телуриду n- та р-типу провідності, станум телуриду та твердого розчину Pb1-xSnxTe на основі р-PbTe. Визначено залежності концентрації точкових дефектів для Pb1-xSnxTe на основі р-PbTe з урахуванням диспропорціонування зарядового стану катіонних вакансій від складу. Встановлено, що домінуючими точковими дефектами в даному випадку є дво- та чотиризарядні металічні вакансії. На основі проведених експериментальних досліджень термоелектричних матеріалів на основі плюмбум телуриду (PbTe:Pb(Te), PbTe:Ni(Bi), PbSnTe) та теоретичних розрахунків з використанням методів термодинамічних потенціалів і кристалоквазіхімії запропоновано оптимальні технологічні параметри синтезу термоелектричного матеріалу та його брикетування. Опис продукції Розроблено технологію та сконструйовано установки для виготовлення брикетів термоелектричного матеріалу, розроблено та реалізовано нову методику дослідження термоелектричних параметрів напівпровідникових матеріалів у широкому інтервалі температур (77-1000) К, досліджено вплив технологічних умов приготування термоелектричного матеріалу на його властивості. Методом термодинамічних потенціалів описано дефектоутворення в кристалах плюмбум телуриду при двотемпературному відпалі в парі телуру. Запропоновано кристалоквазіхімічні формули для кристалів n-PbTe при взаємодії з телуром з урахування диспропорціонування зарядового стану вакансій у катіонній підгратці і міжвузлового Плюмбуму. Визначено вплив типу і зарядового стану домінуючих дефектів на реалізацію термодинамічного n-р-переходу в нестехіометричного плюмбум телуриду.5. Методами кристалоквазіхімії проаналізовано механізми легування кобальтом і нікелем кристалів n- і p-PbTe. Встановлено, що як при заміщенні октаедричних порожнин (ОП), так і при вкорінен Автори роботи Борик Віктор Васильович Горічок Ігор Володимирович Дзумедзей Роман Олексійович Дикун Наталя Іванівна Запухляк Руслан Ігорович Криницький Олександр Степанович Прокопів Володимир Васильович Терлецький Андрій Іванович Туровська Лілія Вадимівна Шевчук Мирослава Олегівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити