Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0211U006774, 0106U001392 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив просторового заряду на міжшарових межах на струмопереніс в планарних структурах на основі арсеніду галію для елементів систем керування та зв'язку Назва етапу роботи Керівник роботи Привалов Євген Миколайович, Дата реєстрації 28-03-2011 Організація виконавець Інститут технічної механіки НАН України і НКА України Опис етапу Об єкт дослідження - тонкоплівкові структури GaAs. Мета дослідження - виявлення можливості вимірювання вольт-фарадних характеристик тонкоплівкових структур GaAs при помірно малих амплітудах вимірювальної змінної напруги. Метод дослідження - аналітичний, числовий та експериментальний. Розроблено числову модель для розрахунку позірної ємності тонкоплівкових структур GaAs. Одержано співвідношення, що виражає виміряну позірну ємність напівпровідникової структури через фактичну ємність та амплітуду вимірювальної змінної напруги. З використанням цього співвідношення показано, що вольт-фарадні характеристики тонкоплівкових структур GaAs, що мають ділянки крутого падіння, можуть бути виміряні при помірно малих амплітудах змінної напруги (порядку 100 мВ) за рахунок проведення вимірювань на двох різних амплітудах. Цей висновок підтверджено результатами числового розрахунку позірної ємності. Зазначені результати отримано вперше. Галузь використання - виробництво польових транзисторів на основі GaAs. Опис продукції Математичні моделі для розрахунку процесів струмоперносу в тонкоплівкових структурах на основі арсеніду галію включають моделі для розрахунку бар'єрної ємності та фотоємності класичних і квантових тонкоплівкових структур на основі арсеніду галію з належним урахуванням змикання областей просторового заряду бар'єра Шоткі та переходів на міжшарових межах, модель ефекту керування по підкладці для неоднорідної підкладки та моделі для розрахунку залежності виміряної позірної ємності тонкоплівкових структур GaAs від параметрів структур та вимірювального сигналу. Автори роботи Іванов Володимир Володимирович Вінтман Захар Лейбович Горєв Микола Борисович Джевінський Віталій Павлович Доронін Олексій Володимирович Дробахін Олег Олегович Заболотний Петро Іванович Камков Володимир Петрович Коджеспірова Інна Федорівна Козленко Ельвіра Йосипівна Привалов Євген Миколайович Яцуненко Анатолій Григорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Привалов Євген Миколайович. Вплив просторового заряду на міжшарових межах на струмопереніс в планарних структурах на основі арсеніду галію для елементів систем керування та зв'язку. (Етап: ). Інститут технічної механіки НАН України і НКА України. № 0211U006774
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17