Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U007378, 0106U006190 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження поверхневих явищ і нерівноважних процесів у шаруватих структурах оптоелектроніки. Назва етапу роботи Керівник роботи Птащенко Олександр Олександрович, Дата реєстрації 20-04-2011 Організація виконавець Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова. Наукова частина Опис етапу Об'єкт дослідження - шаруваті структури оптоелектроніки. Мета роботи - Створення бази експериментальних даних з поверхневих явищ і нерівноважних процесів у шаруватих структурах оптоелектроніки та встановлення механізмів поверхневих явищ і нерівноважних процесів у даних структурах. Методи дослідження - аналіз електричних, фотоелектричних, фото- і електролюмінесцентних характеристик шаруватих структур, рентгенографічні методи. Встановлено механізми впливу парів аміаку, етилового спирту та води на електричні та фотоелектричні характеристики p-n переходів на основі GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN та кремнію. В залежності від ширини забороненої зони напівпровідника, поверхневої щільності глибоких центрів, парціального тиску вказаних парів та знаку і величини напруги зміщення, газова чутливість p-n пе-реходів визначається або зростанням темпу поверхневої рекомбінації, або ж формуванням поверхневого провідного каналу. Виявлено закономірності отримання гетеропереходів GaP-InGaP за до-помогою лазерного легування. Показано, що такі гетеропереходи як фотоелектричні перетворювачі енергії мають, при певних технологічних умовах, високі значення струму короткого замикання та напруги холостого ходу. Встановлено енергетичні спектри центрів, відповідальних за деградацію кремнієвих МДН структур при рентгенівському опроміненні. Результати роботи впроваджено у навчальний процес на фізичному факультеті шляхом вдосконалення лекційних курсів і спеціальних практикумів. Прогнозові припущення щодо розвитку об'єкту дослідження полягають у можливості використання шаруватих напівпровідникових структур для створення високочутливих газових сенсорів та фотоперетворювачів з високими робочими параметрами. Опис продукції Виявлені механізми впливу парів аміаку, води та етилового спирту на поверхневі явища і нерівноважні процеси у шаруватих структурах оптоелектроніки та закономірності впливу поверхневого легування атомами сірки на електричні, фотоелектричні та сенсорні властивості p-n переходів на основі напівпровідників групи А3В5 та кремнію; встановлені закономірності впливу лазерного випромінювання та деградаційних процесів на поверхневі явища і нерівноважні процеси у шаруватих структурах оптоелектроніки. Автори роботи Євтушенко Ніна Германівна Ємець Олена Володимирівна Бобок Іван Ігоревич Богдан Ольга Василівна Довганюк Генадій Віталійович Дойчо Ігор Костянтинович Залюбинська Людмила Миколаївна Мірошниченко Олексій Іванович Манакін Вадим Леонідович Маслєєва Наталя Миколаївна Пастернак Наталя Миколаївна Птащенко Федір Олександрович Солошенко Віктор Іванович Стукалов Сергій Анатолійович Червоненко Святослав Петрович Шугарова Варара Валеріївна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити