Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U007993, 0111U006995 , Науково-дослідна робота Назва роботи Кінетика локального реверсування поляризації в тонких плівках сегнетоелектриків-напівпровідників Назва етапу роботи Керівник роботи Морозовська Ганна Миколаївна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 07-12-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Метою другого етапу проекту було моделювання кінетики локального електромеханічного відгуку тонких плівок віртуальних та звичайних сегнетоелектриків та сегнетоелектриків-напівпровідників. За результатами проекту запропоновано методику опису кінетики локального електромеханічного відгуку тонких плівок віртуальних сегнетоелектриків-напівпровідників з рухомими іонами та вакансіями, звичайних сегнетоелектриків та сегнетоелектриків-напівпровідників, що враховує вплив розмірних ефектів, електричного поля деполяризації і поверхневого екранування зв'язаного заряду. Розраховано та проаналізовано велику різноманітність нелінійних статичних і динамічних деформаційно-вольтових петель гістерезису в тонких плівках сегнетоелектриків-напівпровідників. Результати були отримані в лінійній теорії екранування Дебая та за її межами (нелінійне наближення). В результаті виконання проекту був встановлений (а) вплив розмірних ефектів на статичний та динамічний локальний електромеханічний відгук плівок віртуальних та звичайних сегнетоелектриків-напівпровідників, та гетеро структур на їх основі; (б) вплив явищ екранування зв'язаного заряду на локальний електромеханічний відгук плівок віртуальних та звичайних сегнетоелектриків-напівпровідників. Отримані результати застосовані для самоузгодженого кількісного аналізу експериментальних даних скануючої зондової мікроскопії. Опис продукції Запропоновано методику кінетики локального реверсування поляризації в тонких плівках сегнетоелектриків-напівпровідників. Завдяки локальному реверсуванню між станами з різною поляризацією (ефект пам'яті) сегнетоелектричні тонкі плівки і напівпровідникові гетероструктури на їх основі можуть бути запропоновані в якості базових елементів для енергонезалежних комірок пам'яті. Зокрема перспективними матеріалами є наногетероструктури типу (напів)провідник/полярно-активна плівка/(напів) провідник, що володіють різними ефектами пам'яті, величиною яких можна керувати зовнішніми полями. Автори роботи Єлісєєв Євген Анатолійович Морозовська Ганна Миколаївна Свєчніков Георгій Сергійович Яковенко Ярослав Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити