Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0211U008895, 0111U005562 , Науково-дослідна робота Назва роботи Створення і дослідження фізичних властивостей новітніх напівпровідникових наноструктур з резонансною взаємодією плазмових і фононних збуджень. Назва етапу роботи Керівник роботи Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 28-11-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу З допомогою скануючої конфокальної спектроскопії комбінаційного розсіяння світла проведено неруйнівний аналіз структурних та електронних властивостей n+/n0/n+-GaN Ганн-діодних структур. З аналізу форми w-, w+ фононних смуг відновлено профілі розподілів по глибині структури концентрації та рухливості вільних носіїв заряду. Встановлено, що профілі інтенсивності полярної A1(LO) фононної смуги залежать від товщини нелегованого n0 шару, в той час як профілі неполярної E2- high моди не залежали від легування. Зміна частоти та півширини E2-high моди свідчить про наявність структурних неоднорідностей по глибині досліджуваних діодних структур. При цьому концентрація та рухливість вільних носіїв заряду зазнавала лише невеликих змін по глибині досліджуваної структури, з найбільшими значеннями на поверхні структури. Опис продукції Розроблені методи будуть використані при вирішені фізичних проблем впливу структурних параметрів на оптичні та електронні властивості наноструктур, що є важливим як для науки, так і для технології. Розробка локальних методів діагностики дозволить визначати просторові профілі концентрації (рухливості) вільних носіїв заряду, затухання плазмонів (оптичних фононів), профілів структурної досконалості нітридних шарів приладних гетероструктур із субмікронною просторовою роздільною здатністю. Розробка теоретичної моделі плазмон-фононної взаємодії в нітридних сполуках з малою рухливістю носіїв заряду забезпечить статистичну обробку результатів та встановлення теоретичних закономірностей експериментальних результатів. Автори роботи Авраменко Катерина Андріївна Коломис Олександр Федорович Ніколенко Андрій Сергійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Стрельчук Віктор Васильович. Створення і дослідження фізичних властивостей новітніх напівпровідникових наноструктур з резонансною взаємодією плазмових і фононних збуджень.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0211U008895
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18