Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U009008, 0110U004939 , Науково-дослідна робота Назва роботи Властивості гетеро та наноструктур Hg1-xCdxTe і їх модифікація в процесі іонного травлення. Назва етапу роботи Керівник роботи Іжнін Ігор Іванович, Дата реєстрації 13-05-2011 Організація виконавець Науково-виробниче підприємство "Карат" Опис етапу Звіт про НДР: 243 с., 117 рис., 16 табл., 1 додаток, 202 посилання. Об'єкт досліджень - електрофізичні та оптичні властивості гетероструктур CdxHg1 xTe. Предмет досліджень - модифікація властивостей гетероструктур CdxHg1 xTe в процесі іонного травлення. Мета роботи - дослідження власних та домішкових дефектів у вакансійно-легованих та домішково-легованих (In, As) гетеро структурах CdxHg1-xTe, отриманих молекулярно-променевою епітаксією, які виявляються методом іонного травлення. Проведено комплексні дослідження дефектно-домішкової структури гетероструктур CdxHg1 xTe різного технологічного походження, отриманих молекулярно-променевою епітаксією, з використанням запропонованого авторами методу - іонного травлення. З досліджень після ростових нелегованих та легованих In гетероструктур n-типу провідності доведено, що концентрація електронів після релаксації електричних властивостей у модифікованих іонним травленням зразках визначається залишковими донорними центрами, і таким чином визначає донорний фон у зразках. Виявлено існування в отриманих за даною технологією гетероструктурах існування нейтрального дефекту з концентрацією ~ 1017см-3, який формується на стадії росту, та концентрація якого не залежить від подальших термічних обробок. Припускається, що таким дефектом можуть бути нанокомплекси Те. Експериментально доведено існування не експоненціальної релаксації концентрації електронів після іонного травлення в порушеному n+-шарі, пов'язаною з розпадом донорних центрів, утворених при іонному травленні між вузловою ртуттю з дислокаційними петлями. Доведено, що міжвузлова ртуть в процесі іонного травлення є чутливою до структури легуючого комплексу As (дімер As2 або тетрамер As4) для різних схем легування при вирощуванні гетероструктур CdxHg1-xTe методом молекулярно-променевої епітаксії. Встановлено, що дімерний комплекс As2 при рості частково блокує специфічний нейтральний дефект. Термічна активація As в процесі термічного відпалу для отримання зразків р-типу провідності, коли As переводиться з металевої піґратки у аніонну підґратку, знімає блокування нейтрального дефекту. Досліджена фотолюмінесценція одиничних потенціальних і квантових ям в гетероструктурах CdxHg1-xTe. Опис продукції В процесі виконання роботи запробонована та розроблена нова методика дослідження дефектної структури CdxHg1 xTe за допомогою іонного травлення. Методика застосована для досліджень дефектів у епітаксійних гетероструктурах CdxHg1 xTe різного типу провідності та легування, отриманих методом молекулярно-пучкової епітаксії. Автори роботи Іжнін Ігор Іванович Іжнін Олександр Іванович Генега Наталія Ярославівна Поцяск Малгожата Фіцич Олена Іванівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити