Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0211U009060, 0110U005740 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фізичних основ процесу газофазного синтезу легованих азотом електропровідних наноструктурних алмазних матеріалів Назва етапу роботи Керівник роботи Стрельницький Володимир Євгенійович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 27-05-2011 Організація виконавець Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України Опис етапу Звіт про НДР: 55 с, 14 рис., 1 табл., 71 посилання. Об'єкт дослідження - метод газофазного хімічного осадження наноструктурних алмазних покрить, легованих азотом. Мета роботи - опрацювання методик, пов'язаних з отриманням та дослідженням характеристик наноструктурних алмазних покрить, легованих азотом. Метод дослідження - аналіз і узагальнення літературних даних, присвячених отриманню нанокристалічних алмазних покрить методом газофазного хімічного осадження. Експериментальне вивчення впливу параметрів процесу синтезу алмазних покрить на їх структуру, теоретичне вивчення впливу структури на величину електропровідності алмазних покрить. Аналіз літературних джерел показав, що для одержання нанокристалічних алмазних CVD-плівок використовуються ті ж методи активації газової фази, що і для синтезу плівок з мікрокристалічною структурою. Обмеження розміру кристалітів на рівні 3-100 нм досягається зміною складу газової фази, оптимізацією параметрів газофазного осадження і попередньою підготовкою поверхні підкладок. Проведено експериментальне опрацювання умов отримання наноструктурних алмазних покриттів із газових сумішей метану, водню, аргону і азоту та методик їх дослідження з застосуванням рентгеноструктурного метода та метода сканувальної електронної мікроскопії. Встановлено, що формування наноструктурних легованих азотом покриттів при синтезі їх в плазмі тліючого розряду в схрещених Е/Н полях в обладнанні, що використовувалось в дослідженнях, можливе при зменшенні частки водню в газовій суміші до 30% і менш від загальної кількості інших газів. Величина області когерентного розсіювання (ОКР) за даними рентгеноструктурних досліджень цих покриттів дає значення в діапазоні 24-29 нм. Ці величини близькі до розмірів структурних елементів на поверхні алмазних покриттів, що виявляються при електронномікроскопічних дослідженнях. Це дозволяє зробити висновок про те, що структура алмазних покриттів, отриманих у опрацьованому діапазоні параметрів їх синтезу, відповідає області наноструктурних покриттів. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єкта дослідження -розробка фізичних основ процесу синтезу легованих азотом електропровідних наноструктурних алмазних покрить. Опис продукції Наноструктурні електропровідні алмазні матеріали становлять винятковий інтерес для застосування як електродний матеріал. Алмазні електроди мають найбільше вікно потенціалів у розчинах електролітів, що досягає більш 3 В, і мають надзвичайно низький і стабільний фоновий струм, що не перевищує десятих часток мка.см-2. Перераховані властивості наноструктурних електропровідних алмазних матеріалів визначають надзвичайну перспективність їх використання при створенні аналітичних приладів для визначення вкрай малих концентрацій органічних і неорганічних речовин у розчинах, а також інших приладів і устаткування, наприклад, для приладів моніторингу забруднення навколишнього середовища, очищення стічних вод і високотоксичних органічних і неорганічних відходів різних виробництв. Автори роботи Білоус Віталій Арсентійович Бородін Олег Викторович Брик Віктор Васильович ВасиленкоРуслан Леонідович Воєводін Віктор Миколаєвич Волков Юрій Якович Грицина Василь Васильвич Дуднік Станіслав Федорович Залеський Дмитрій Юрійович Калініченко Олександр Іванович Кошевий Константин Іванович Опалев Олег Анатольович Перепьолкін Сергій Степанович Решетняк Олена Миколаївна Стрельницький Володимир Євгенійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Стрельницький Володимир Євгенійович. Розробка фізичних основ процесу газофазного синтезу легованих азотом електропровідних наноструктурних алмазних матеріалів. (Етап: ). Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України. № 0211U009060
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16