Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0211U009800, 0111U002778 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології нанорозмірних структур з плівками германію та його сполук з кремнієм і арсенідом галію на підкладках GaAs та Si для виготовлення на їх основі електронних приладів. Назва етапу роботи Керівник роботи Венгер Євген Федорович, Дата реєстрації 27-12-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу У звіті міститься інформація про розроблення технології виготовлення нанорозмірних та нанокомпозиційних плівок Ge на GaAs, результати досліджень внутрішніх механічних напружень, електрофізичних та оптичних властивостей, морфології поверхні та гетерограниці, в залежності від швидкості осадження і товщини нанотонких плівок, а також результати розроблення та дослідження гетеродіода Ge/GaAs з нанорозмірним сильно компенсованим шаром Ge. Опис продукції Технології виготовлення нанорозмірних та нанокомпозиційних плівок Ge на GaAs, результати досліджень внутрішніх механічних напружень, електрофізичних та оптичних властивостей, морфології поверхні та гетерограниці, в залежності від швидкості осадження і товщини нанотонких плівок, а також результати розроблення та дослідження гетеродіода Ge/GaAs з нанорозмірним сильно компенсованим шаром Ge. Автори роботи Венгер Євген Федорович Кулик Олена Сергіївна Мітін Вадим федорович Мітін Валентин Вадимович Матвеева Людмила Олександрівна Неміш Іван Юрійович Холевчук Володимир Васильович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Венгер Євген Федорович. Розроблення технології нанорозмірних структур з плівками германію та його сполук з кремнієм і арсенідом галію на підкладках GaAs та Si для виготовлення на їх основі електронних приладів.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0211U009800
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17