Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U009802, 0111U003894 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення базових нанотехнологій створення активних елементів джерел НВЧ-випромінювання в терагерцовому діапазоні на основі напівпровідникових структур A3B5 з наноструктурними буферними шарами і структурованими дифузійними бар'єрами Назва етапу роботи Керівник роботи Шеремет Володимир Миколайович, Дата реєстрації 27-12-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено та досліджено високстабільні контактні системи з наноструктурованими дифузійними бар'єрами для активних елементів джерел НВЧ-випромінювання. Проведено математичне моделювання активних елементів з міждолинним переносом носіїв заряду типу n+-n-n+ структури на основі GaN для джерел НВЧ-випромінювання в діапазоні частот 90?110 ГГц та визначені базові параметри техпроцесів n+-n-n+ структур GaN. Теоретично розраховані залежності висоти бар'єру в контакті метал - діелектричний шар - GaN від рівня легування напівпровідника та температури для моделі двох дискретних рівнів в забороненій зоні GaN. Проведено теоретичний аналіз контактного опору контакту метал - діелектричний шар - GaN для механізму термоелектронної емісії з врахуванням виродження напівпровідника і для польового та термопольового механізмів струмопереносу. Опис продукції Техпроцеси формування контактних структур з наноструктурованими дифузійними бар'єрами на їх основі. Базова конструкція чіпів активних елементів на основі структур n+ - n - n+ GaN для джерел випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц. Автори роботи А.В.Саченко В.М.Шеремет Кудрик Я.Я. Р.В.Конакова Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити