Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U009803, 0111U003893 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами Назва етапу роботи Керівник роботи Конакова Раїса Василівна, Дата реєстрації 28-12-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено технологічні схеми виготовлення чипів діодів Ганна з наноструктурованими буферними шарами на основі пористих шарів InP і контактами з дифузійними бар'єрами на основі наноструктурованих аморфних плівок ТіВх. Створено і апробовано в експерименті модель тісного омічного контакту. Розраховано контактний опір для омічного контакту з діелектричним прошарком. Визначені режими працездатності контактних систем з дифузійними бар'єрами на основі наноструктурованих шарів ТіВх при підвищених температурах. Показано, що при частотах 90 і 118 ГГц максимальна вихідна потужність діодів Ганна, виготовлених на пористих наноструктурованих підкладках InP, виміряна при температурах -40, +25 і +75 °С, вище, ніж діодів Ганна, виготовлених на стандартних підкладках InP. Опис продукції Нанотехнології виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами Автори роботи А.В.Саченко В.В.Мілєнін В.М.Шеремет Р.В.Конакова С.В.Новицький Я.Я.Кудрик Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити