Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U009804, 0111U003895 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення нанотехнологій виготовлення елементної бази НВЧ пристроїв для діапазону частот 200-600 ГГц Назва етапу роботи Керівник роботи Кудрик Ярослав Ярославович, Дата реєстрації 28-12-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Проведено математичне моделювання імпедансних і енергетичних характеристик активних і пасивних елементів джерел випромінювання з робочою частотою 280 ГГц на основі помножувачів частоти на діоді з бар'єром Шотткі (ДБШ). Розроблені базові нанотехнологічні процеси виготовлення тонких підкладок і систем металізації для ГІС призначених для роботи в діапазоні частот 200-325 ГГц. Розроблено складальну ескізну конструкторську документацію на джерело випромінювання на основі автогенератора на кремнієвому лавино пролітному діоді та помножувачі частоти на GaAs діоді (ДБШ) на робочий діапазон 280 ГГц та розраховані його характеристики. Опис продукції Нанотехнології виготовлення елементної бази НВЧ пристроїв для діапазону частот 200-600 ГГц. Автори роботи В.В.Мілєнін В.В.Шинкаренко В.М.Шеремет Р.В.Конакова Я.Я.Кудрик Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити