Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U013109, 0111U001624 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологій створення нанорозмірних германієвих cтруктур на підкладках GaAs та Si для виготовлення на їх основі електронних приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Шварц Юрій Михайлович, Дата реєстрації 26-12-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В результаті виконання 2 етапу роботи встановлено основні технологічні режими нарощування нанорозмірних плівок германію на підкладках GaAs. Основні технічні характеристики технології: робочий вакуум в камері - не гірше 2x10^-6 Тор; швидкість випарування плівки Ge - 0,1-100 нм/с; температура підкладки GaAs - 200-600 ^о С; похибка виміру температури підкладки - 5 ^оС; питомий опір підкладки GaAs - 10^7 Ом x см; товщина плівки Ge - 2-5000 нм; тип провідності плівки - р- та n; кристалічна структура плівки - полікристал, текстура, монокристал. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити