Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0211U013347, 0111U005976 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розроблення й оптимізація ефективних методів вирощування та збагачення ізотопом 82Se монокристалів ZnSe та процесів хімічного полірування їх поверхні для виготовлення робочих елементів низькотемпературних сцинтиляційних болометрів" Назва етапу роботи Керівник роботи Томашик Василь Миколайович, Доктор хімічних наук Дата реєстрації 23-12-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу РЕФЕРАТ Звіт про НДР: 74 с., 11 табл., 31 рис., 4 додатки , 49 джерел. Об'єкти дослідження - технологічні процеси синтезу і вирощування кристалів ZnSe та процеси їх механічної і хімічної обробки. Мета роботи - розроблення технологічних основ та створення дослідного виробництва кристалів збагачених ізотопом 82Se цинк селеніду для їх використання у сцинтиляційних низькотемпературних болометрах при реєстрації безнейтринного подвійного бета-розпаду, а також розроблення й оптимізація травильних композицій для операцій хіміко-механічного і хіміко-динамічного полірування при формуванні високоякісної поверхні підкладок робочих елементів приладів. Методи дослідження - вирощування кристалів з розплаву; вивчення закономірностей розчинення кристалів ZnSe в травниках методом диску, що обертається; дослідження стану поверхні після хімічної обробки методами металографічного і профілографічного аналізів, електронної мікроскопії; дослідження електрофізичних параметрів матеріалу в залежності від обробки поверхні (спектри низькотемпературної фотолюмінесценції). Розроблено лабораторну методику синтезу цинк селеніду з елементарних компонентів Zn та 82Se, яка забезпечує отримання ZnSe у порошкоподібному вигляді з виходом кінцевого продукту 95 % від маси вихідних компонентів. Вдосконалення методики вирощування кристалів з розплаву забезпечило отримання зразків з низьким рівнем включень вуглецевих часток, залишкових напружень та границь блоків в кристалах ZnSe. Встановлено закономірності механічної і хімічної обробки нелегованих та легованих домішками телуру і алюмінію кристалів ZnSe, залежність їх хімічного травлення від легування, вплив складу травників і технологічних параметрів обробки на шорсткість поверхні та електрофізичні властивості. За даними залежностей "склад травника - швидкість травлення", результатами металографічного і профілографічного аналізів та даними досліджень електрофізичних властивостей поверхні після хімічної обробки оптимізовано склади бромвиділяючих травників H2O2 - HBr - етиленгліколь для хіміко-динамічного і хіміко-механічного полірування цих матеріалів. Проведено дослідження спектрів низькотемпературної (Т = 5 К) фотолюмінесценції нелегованих та легованих кристалів ZnSe та ідентифіковані відповідні смуги в екситонній та домішковій областях спектру. Проаналізована залежність інтенсивності та енергетичного положення смуг фотолюмінесценції від типу легуючої домішки та способу механічної обробки досліджуваних зразків ZnSe. Кристалічні зразки Zn82Se після відповідної обробки та тестувань, планується використати як робочі елементи низькотемпературних сцинтиляційних болометрів, що працюють при Т= 15-25 К. ВИРОЩУВАННЯ КРИСТАЛІВ, ОБРОБКА ПОВЕРХНІ, НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНА ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ, ПРОФІЛОГРАФІЧНИЙ АНАЛІЗ, СИНТЕЗ, СЦИНТИЛЯЦІЙНІ БОЛОМЕТРИ, ХІМІЧНЕ ПОЛІРУВАННЯ, ЦИНК СЕЛЕНІД. Опис продукції Лабораторна методика синтезу селеніду цинку з елементарних компонентів Zn та Se, яка забезпечує отримання ZnSe у порошкоподібному вигляді з виходом кінцевого продукту 95 % від маси вихідних компонентів. Вдосконалена методика вирощування кристалів ZnSe з розплаву методом Бріджмена-Стокбаргера. Оптимізована методика механічної і хімічної обробки нелегованих та легованих кристалів ZnSe. Виявлена залежність хімічного травлення від легування кристалів, визначено вплив складу травників і технологічних параметрів обробки на шорсткість поверхні та електрофізичні властивості. Автори роботи Єрмаков В.М. Будзуляк С.І. Вахняк Н.Д. Воронкін Є.Ф. Галкін С.М. Демчина Л.А. Калитчук С.М. Капуш О.А. Корбутяк Д.В. Кравецький М.Ю. Кравцова А.С. Купчак І.М. Лисецька О.К. Литвин О.С. Пащенко Г.А. Рибалка І.А. Стратійчук І.Б. Сукач А.В. Томашик З.Ф. Тріщук Л.І. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Томашик Василь Миколайович. "Розроблення й оптимізація ефективних методів вирощування та збагачення ізотопом 82Se монокристалів ZnSe та процесів хімічного полірування їх поверхні для виготовлення робочих елементів низькотемпературних сцинтиляційних болометрів". (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0211U013347
Знайдено документів: 1
Підписка
Повний текст наразі ще відсутній.
Повідомити вам про надходження повного тексту?
Повідомити вам про надходження повного тексту?
Оновлено: 2026-03-15
