Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0211U013383, 0111U006614 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фізичних основ створення приймачів терагерцового випромінювання на основі плазмонних транзисторів Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 27-12-2011 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В роботі експериментально визначені стік - затворні та стік - витокові характеристики кремнієвих польових транзисторів з різними геометричними розмірами електронних каналів, визначено їх чутливість до терагерцового випромінювання та представлено еквівалентну схему плазмонного транзистора як приймача терагерцового випромінювання для з'єднання з зовнішньою системою реєстрації. Опис продукції Проект спрямований на вирішення фундаментальної наукової проблеми, пов'язаної з вивченням властивостей плазмонних коливань у напівпровідникових мікро- та наноструктурах з метою розробки теоретичних основ нових класів мініатюрних пристроїв для детектування і генерації ТГц випромінювання, створення неохолоджуваних приймачів ТГц випрмінювання. Автори роботи Сизов Федір Федорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити