Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U000015, 0109U000702 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження радіаційної стійкості шаруватих кристалів та розробка фотоперетворювачів і сенсорів високоенергетичних випромінювань на їх основі. Назва етапу роботи Керівник роботи Ковалюк Захар Дмитрович, Дата реєстрації 04-01-2012 Організація виконавець Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича Національної академії наук України Опис етапу Були одержані кристали GaSe, InSe, PbI2 із відтворюваними і стабільними характеристиками та однорідним розподілом домішок. На їх базі були розроблені фотоелектричні перетворювачі широкого спектрального діапазону. Було проведено технологічні експерименти по визначенню оптимальних умов формування потенціального бар'єра в структурах на основі шаруватих напівпровідників методами прямого оптичного контакту, термічного оброблення на повітрі та в парах сірки. Здійснено опромінення фотоперетворювачів різними типами випромінювань: нейтронами, електронами і гамма-променями. Зроблено порівняльний аналіз результатів впливу опромінення на їх характеристики. Показано, що радіаційна стійкість досліджуваних InSe(GaSe)-фотоперетворювачів набагато вища, ніж кремнієвих аналогів, що дозволяє рекомендувати їх для експлуатації в умовах високого радіаційного фону. Проведено тестування сенсора високоенергетичних випромінювань. Опис продукції а) дослідні зразки монокристалів InSe, InSe:Cd, InSe:Ge; GaSe, GaSe:Dy, GaSe:In, GaSe:Sn; PbI2 володіють мінімальною кількістю неконтрольованих домішок, досконалою шаруватою структурою і придатні для створення радіаційно-стійких фотоперетворювачів чи детекторів ядерних випромінювань б) запропоновано синтезувати та вирощувати шаруваті кристали за допомогою комплексу нестандартних технологічних установок двозонного методу синтезу (селеніди індію та гілію), синтезу методом прямого сплавлення (йодид свинцю) та вирощування вертикальним методом Бріджмена. в) як методи виготовлення фотоперетворювачів пропонуються прямий оптичний контакт, термічний відпал на повітрі чи парах халькогену, які є простішими за традиційну дифузійну технологію. г) структури власний оксид-n-InSe, власний оксид-р-InSe, n-InSe-p-InSe, n-InS-n-InSe, n-InS-р-InSe, p-GaSe-n-InSe характеризуються високими і відтворюваними питомими параметрами та мілким заляганням p-n-переходу та вищою, ніж у кремнієвих фотодіодах, радіаційною стійкістю. Стру Автори роботи Заслонкін А.В. Мінтянський І.В. Нетяга В.В. Савицький П.І. Сидор О.А. Сидор О.М Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити