Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U000016, 0110U005592 , Науково-дослідна робота Назва роботи Сенсори фотоелектричних та іонізуючих випромінювань на базі шаруватих напівпровідників: технологія виготовлення та дослідження характеристик. Назва етапу роботи Керівник роботи Ковалюк Захар Дмитрович, Дата реєстрації 04-01-2012 Організація виконавець Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича Національної академії наук України Опис етапу Вирощено нелеговані та леговані шаруваті монокристали InSe, GaSe, In2Se3 та PbI2, підтверджена їх досконалість. Методами ван-дер-ваальсового контакту, термічного окислення і хімічного піролізу виготовлено бар"єрні фоточутливі структури р-n-InSe, p-GaSe-n-InSe, власний оксид - p-InSe та ІТО-p-GaSe з високими параметрами. Досліджено вплив гальмівного гамма-випромінювання з енергією 0-34 МеВ при дозах від 10E11 до 10E16 см-2 на їх властивості. Проведено порівняння параметрів з фотодіодами ІТО-SiО2-Si та n-p-Si. Опис продукції Пропонуються фотосенсори для видимої, інфрачервоної та ультрафіолетової областей спектра, стійкі до впливу високоенергетичного гамма-випромінювання. Вони створені на основі шаруватих напівпровідникових сполук A3В6 і A4В7. Фоточутливі сенсори сформовані з використанням методів ван-дер-ваальсового контакту шаруватих речовин різної природи та типу провідності, термічного окислення шаруватої кристалічної підкладки та відпалу у парі хімічних речовин. Автори роботи Заслонкін А.В. Мінтянський І.В. Нетяга В.В. Савицький П.І. Сидор О.А. Сидор О.М Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити