Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U000172, 0111U001019 , Науково-дослідна робота Назва роботи Теорія струмопереносу через бар'єр Шотткі на основі напружених наногетеросистем арсенід індію - арсенід галію з квантовими точками Назва етапу роботи Керівник роботи Пелещак Роман Михайлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 20-01-2012 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу У наближенні самоузгоджених граничних умов виведено систему нелінійних диференціальних рівнянь, яка описує струмоперенесення у діодах Шотткі виду метал - напівпровідникова напружена гетеросистема InAs/GaAs з вбудованим шаром квантових точок InAs з врахуванням електрон-деформаційних ефектів. У межах запропонованої моделі встановлено закономірності просторового розподілу деформації матеріалу наногетеросистеми InAs/GaAs з квантовими точками InAs залежно від середньої концентрації електронів. Опис продукції У наближенні самоузгоджених граничних умов виведено систему нелінійних диференціальних рівнянь, яка описує струмоперенесення у діодах Шотткі виду метал - напівпровідникова напружена гетеросистема InAs/GaAs з вбудованим шаром квантових точок InAs з врахуванням електрон-деформаційних ефектів. У межах запропонованої моделі встановлено закономірності просторового розподілу деформації матеріалу наногетеросистеми InAs/GaAs з квантовими точками InAs залежно від середньої концентрації електронів. Автори роботи Даньків Олеся Омелянівна Козак Михайло Іванович Крипак Анаталій Олексійович Кузик Олег Васильович Німецький Володимир Петрович Пелещак Роман Михайлович Петрицин Оксана Євгенівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити