Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U000269, 0111U004315 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розроблення методів інтерференційної нанолітографії для формування рельєфно-фазових наноструктур з використанням вакуумних фоторезистів" 2 етап -"Дослідження та оптимізація процесів інтерференційного експонування неорганічних фоторезистів з використанням імерсії". Назва етапу роботи Керівник роботи Індутний Іван Захарович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 27-01-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Змонтовані оптичні схеми для експонування фоторезистів періодичним світловим полем з необхідними просторовими частотами. Використовуючи результати комп'ютерного моделювання процесів експонування та післяекспозиційного травлення оптимізувано величини експозиції для довжин хвиль гелій-кадмієвого (440 нм) та аргонового (488 нм) лазерів. Показано, що величина експозиції залежить від кратності експонування, просторової частоти інтерференційної картини та скважності періодичної літографічної маски. Розроблено метод подвоєння частоти високочастотних рельєфно-фазових структур, який має ряд переваг перед існуючими: спрощує, а отже здешевлює та прискорює технологічний процес. Розроблений метод може знайти застосування у виробництві субхвильових оптичних структур та оптичних сенсорів. Виготовлені експериментальні зразки одновимірних та двовимірних періодичних наноструктур на шарах халькогенідних резистів, проведені їх дослідження за допомогою АСМ- мікроскопії, вимірювання ефекту конверсії поляризації, вимірювання спектральних залежностей дифракційної ефективності та реєстрації розподілу інтенсивності дифракційних порядків в дальньому полі. Показано, що реєструючи розподіл інтенсивності дифракційних порядків можна в процесі формування двовимірної дифракційної структури контролювати розмір елементів. Опис продукції Розроблено метод подвоєння частоти високочастотних рельєфно-фазових структур на основі використання вакуумних двошарових халькогенідних фоторезистів. Розроблений метод може знайти застосування у виробництві субхвильових оптичних структур та оптичних сенсорів. Автори роботи Данько Віктор Андрійович Жовмір Сергій Сергійович Минько Віктор Іванович Михайловська Катерина Василівна Сопінський Микола Вікторович Шепелявий Петро Євгенович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити