Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U000270, 0111U008996 , Науково-дослідна робота Назва роботи Етап 1. Комп'ютерне моделювання просторового розподілу дефектів та імплантованої домішки при рості наношаруватих конденсатів нітридів металів. Назва етапу роботи Керівник роботи Змій Віктор Іванович, Дата реєстрації 30-01-2012 Організація виконавець Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України Опис етапу У результаті виконання роботи за етапом створені сучасні комп'ютерні моделі для прогнозування концентрації радіаційних дефектів та хімічного складу у шарах наноматеріалів, одержаних методами атомно-іонного осадження з урахуванням процесів імплантації, дефектоутворення та дифузії. Методами комп'ютерного моделювання вивчені особливості процесів, що призводять до зміни структури та хімічного складу в наношарах ванадію, хрому та алюмінію при іонностимульованому осадженні. Проведені розрахунки дефектоутворення у зразках, які опромінювалися іонами азоту у діапазоні енергій 0,2…20 кеВ. Показано, що виникнення радіаційних дефектів може призводити до радіаційно прискореної коалесценції виділень. Вивчено зміну хімічного складу по глибині зразків під впливом атомно-іонних потоків металу та азоту. Встановлені особливості у розподілі домішок азоту на границі різних шарів. Показано, що перегини у розподілі азоту на границі плівка - підкладка при низьких температурах пов'язані з різною проникаючою здатністю іонів азоту у хром та алюміній. Проведено порівняння результатів математичного моделювання з експериментальними даними. Встановлена відповідність як ходу концентраційних кривих, так і абсолютних значень концентрацій домішки, отриманих у комп'ютерному експерименті, експериментальним результатам. Показана можливість використання методів комп'ютерного моделювання для прогнозування хімічного складу наношаруватих плівок, отриманих методами іонно-стимульованого осадження. Опис продукції В результаті виконання роботи були створені сучасні комп'ютерні моделі для прогнозування концентрації радіаційних дефектів та хімічного складу у шарах наноматеріалів, одержаних методами атомно-іонного осадження. Розрахований розподіл імплантованої домішки та крапкових дефектів у наношаруватих конденсатах нітридів металів дає змогу передбачувати інтервали енергій та іонного току для отримання наношаруватих плівок нітридів металів з передбачуваними характеристиками. Результати досліджень можуть бути впроваджені при розробці та виготовлені шаруватих матеріалів, які можуть використовуватися у вузлах ядерно-енергетичних пристроїв. Автори роботи Андреєв Анатолій Опанасович Бредіхін Михайло Юрійович Змій Віктор Іванович Картмазов Геннадій Миколайович Карцев Микола Федорович Коваленко Володимир Іванович Корнєєв Олександр Олександрович Кунченко Віктор Володимирович Кунченко Юрій Вікторович Лукирський Юрій Валентинович Маринін Володимир Григорович Мартиненко Людмила Іванівна Марченко Іван Григорович Павленко Володимир Іванович Поляков Юрій Іванович Рижова Тетяна Петрівна Руденький Сергій Георгійович Сафонов Володимир Йосипович Серченко Анатолій Ілліч Щербак Семен Павлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити