Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0212U000271, 0111U008996 , Науково-дослідна робота Назва роботи Етап 2. Розробка комп'ютерної моделі росту наношаруватої плівки Cu-Nb і методів аналізу дефектної структури Назва етапу роботи Керівник роботи Змій Віктор Іванович, Дата реєстрації 30-01-2012 Організація виконавець Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України Опис етапу Відповідно до другого етапу були розроблені математичні моделі для розрахунків росту наношаруватих плівок міді та ніобію. Моделі основані на методі молекулярної динаміки з підтримкою температури та використанням потенціалів зануреного атома. Створені алгоритми для аналізу дефектної структури наноплівок, які спираються на просторовий аналіз електронної густини. Досліджено процес формування наноструктури плівок ніобію та міді при атомному осадженні. Показано що виникнення наноблоків у об'ємі пов'язано з розвитком морфологічної нестійкості на поверхні ростучої плівки. Отримані залежності шорсткості плівки від часу. Встановлено що механізм зародження конденсаційних мікротріщин, які розділяють наноблоки міді, викликаний флуктуаційним зародженням зон які містять дефект упаковки, а їх подальше зростання та виникнення вакансійних кластерів визначається ефектом викривлення траєкторії падаючих атомів у силовому полі поверхневих атомів. Вивчена зміна щільності плівок по глибині. Зроблено висновок про перехід при низькотемпературному осадженні від стохастичного росту до фази упорядкованого росту нанокристалів. Методом молекулярної динаміки вивчено еволюцію кластерної структури осаджених шарів міді при температурах 50-500К. Показано, що при високому ступені заповнення поверхні процеси атомного упорядкування носять недифузійний характер і обумовленні колективним рухом атомів у кластерах. Вивчена температурна залежність явища діслокаційно індукованої коалесценції (ДІК), яке полягає у рості ГЦК кластерів за рахунок зменшення кількості ГЩУ кластерів за рахунок руху поверхневих дислокацій Шокли. Показано що ДІК відігріває істотну роль у формуванні кластерної структури у всьому вивченому діапазоні температур. Із зменшенням температури зростає значення ДІК у процесах структуроутворення осаджених плівок. Начало стадії ДІК при цьому зміщується у сторону більшої щільності поверхневого шару. Опис продукції В результаті виконання роботи були розроблені математичні моделі для розрахунків росту наношаруватих плівок міді та ніобію. Моделі основані на методі молекулярної динаміки з підтримкою температури та використанням потенціалів зануреного атома. Створені алгоритми для аналізу дефектної структури наноплівок, які спираються на просторовий аналіз електронної густини. Досліджено процес формування наноструктури плівок ніобію та міді при атомному осадженні. Показано що виникнення наноблоків у об'ємі пов'язано з розвитком морфологічної нестійкості на поверхні плівки, яка росте. Отримані залежності шорсткості плівки від часу. Встановлено що механізм зародження конденсаційних мікротріщин, які розділяють наноблоки міді, викликаний флуктуаційним зародженням зон, які містять дефект упаковки, а їх подальше зростання та виникнення вакансійних кластерів визначається ефектом викривлення траєкторії падаючих атомів у силовому полі поверхневих атомів. Вивчена зміна щільності плівок по глибині. Результати досліджень можуть б Автори роботи Андреєв Анатолій Опанасович Бредіхін Михайло Юрійович Змій Віктор Іванович Картмазов Геннадій Миколайович Карцев Микола Федорович Коваленко Володимир Іванович Корнєєв Олександр Олександрович Кунченко Віктор Володимирович Кунченко Юрій Вікторович Лукирський Юрій Валентинович Маринін Володимир Григорович Мартиненко Людмила Іванівна Марченко Іван Григорович Павленко Володимир Іванович Поляков Юрій Іванович Рижова Тетяна Петрівна Руденький Сергій Георгійович Сафонов Володимир Йосипович Серченко Анатолій Ілліч Щербак Семен Павлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Змій Віктор Іванович. Етап 2. Розробка комп'ютерної моделі росту наношаруватої плівки Cu-Nb і методів аналізу дефектної структури. (Етап: ). Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України. № 0212U000271
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15