Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0212U000436, 0109U000246 , Науково-дослідна робота Назва роботи Закономірності вирощування напівпровідникових та надпровідних кристалів алмазу із заданими властивостями для цілеспрямованого використання при створенні електронних датчиків, зондів та приборів Назва етапу роботи Керівник роботи Івахненко Сергій Олексійович, Доктор технічних наук Дата реєстрації 13-02-2012 Організація виконавець Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України Опис етапу 1.Проведено вивчення закономірностей утворення напівпровідникових алмазних монокристалів та надпровідних алмазних матеріалів при високих тисках та температурах з використанням розчинників вуглецю, бору та їх сполук; вивчення фізико-хімічних властивостей розплавів та їх контактних явищ з вуглецем Опис продукції Розроблена дослідно-лабораторна технологія отримання напівпровідникових монокристалів алмазу та надпровідних алмазних матеріалів під впливом високих тисків ( р=6-8ГПа) та температур (Т=1450-2250C) з метою використання у якості зондів для скануючої тунельної мікроскопії. Автори роботи Ільницька Г.Д. Александрова Л.І. Білоусов І.С. Багно Н.Г. Белявіна Н.М. Виноградов С.О. Гонтар О.Г. Заневський О.О. Катруша А.М. Куцай О.О. Лисаківський В.В. Лисенко О.Г. Логінова О.Б. Марков А.І. Олейник Г.О. Перевертайло В.М. Романко Л.І. Соколов О.М. Ткач В.М. Шульженко О.О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Закономірності вирощування напівпровідникових та надпровідних кристалів алмазу із заданими властивостями для цілеспрямованого використання при створенні електронних датчиків, зондів та приборів
Керівник: Івахненко Сергій Олексійович. Закономірності вирощування напівпровідникових та надпровідних кристалів алмазу із заданими властивостями для цілеспрямованого використання при створенні електронних датчиків, зондів та приборів. (Етап: ). Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України. № 0212U000436
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку