Реєстраційний номер
0212U000444,
0110U006384
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Створення промислової бази виготовлення світлодіодів білого спектра випромінювання
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Парфенюк Павло Васильович,
Дата реєстрації
13-02-2012
Організація виконавець
Львівська філія Публічного акціонерного товариства "Науково-виробничий концерн "Наука"
Опис етапу
Розроблена проектна документація дільниці МОС-гідридної епітаксії. Проведена інсталяція установки росту нітридних гетероепітаксійних шарів D-180 GaN. Розроблені і апробовані методики визначення параметрів гетероструктур (товщина, склад, кристалічна досконалість) методом високороздільної дифрактометрії. Проведена інсталяція діагностичного обладнання у складі: фотолюмінесцентного картографа підкладок PHILIPS (Nanometrics), PLM-series, системи вимірювання Холла HMS 3000, електрохімічного профілометра PCCENT PN 4300PC, установки високороздільної дифрактометрії. Визначені основні властивості GaN-базових квантових точок і їх використання для створення світлодіодів білого спектру випромінювання потужністю 2-4 - 10 Вт із світловіддачею більше 110 Лм/Вт. Визначена епітаксійна структура шарів гетероструктур з квантовими точками для світлодіодів білого спектру випромінювання потужністю 2-4 - 10 Вт. Розроблені технологічні маршрути виготовлення світлодіодів білого спектру випромінювання потужністю 2-4 - 10 Вт. Визначені режими вирощування шарів гетероструктур для світлодіодів білого спектру випромінювання потужністю 2-4 - 10 Вт. Проведені дослідження структурної досконалості (визначення щільності дислокацій) шарів GaN та впливу параметрів гетероструктур Al2O3/GaN/InGaN/AlGaN/GaN на процеси деградації світлодіодів. Виготовлена дослідна партія гетероструктур із квантовими точками для світлодіодів білого спектру випромінювання потужністю 2-4 Вт.
Опис продукції
В даній НДР створена промислова база для виготовлення гетероструктур білих світлодіодів, яка включає в себе: - дільницю МОС-гідридної епітаксії; - інсталяцію промислового і діагностичного обладнання; - розробку епітаксійної структури із квантовими точками для світлодіодів білого спектру випромінювання потужністю 2-4 і 10 Вт; - визначення методу росту активної області гетероструктури із квантовими точками для білих світлодіодів потужністю 2-4 Вт; - визначення режимів росту шарів епітаксійної структури; - наведений технологічний регламент вирощування гетероструктур білих світлодіодів потужністю 2-4 Вт; - проведена дослідна партія гетероструктур для білих світлодіодів потужністю 2-4 Вт; - наведені характеристики квантових точок (висота, діаметр, щільність), одержаних атомно-силовим мікроскопом; - проведені спектральні характеристики квантових точок, одержаних із допомогою фотолюмінесценції.
Автори роботи
Caбipoв В.Р.
Богомолова С.В.
Велика О.М.
Виоронько А.О.
Владиченко О.М.
Воропаєв В.О.
Галат І.Г.
Горін А.В.
Горін С.В.
Горіна В.П.
Губіш М.В.
Довженко О.О.
Доценко А.М.
Драч Л.О.
Жураховська І.В.
Завалішин А.О.
Каіра В.В.
Кардашевська Т.В.
Карпінський К.Б.
Карплюк Г.Ю.
Кирсанова О.І.
Козейчук С.А.
Козейчук Т.В.
Корчагін Ю.Д.
Кролівець С.К.
Лакшин М.М.
Лащенко Л.М.
Левищенко В.В.
Левищенко В.С.
Леоненко В.О.
Луговський В.В.
Ляхова Н.О.
Малаховская Н.А.
Марценюк I.M.
Меликов Ю.М.
Мельник О.А.
Мержвинський А.О.
Мержвинський П.О.
Мурченко Д.С.
Некоз С.О.
Нескоромна В.А.
Олійник А.В.
Оптасюк С.
Ориховський Б.Г.
Павлюк Є.В.
Панна В.О.
Панна О.А.
Пастушенко Т.А.
Пастушенко Ю.Н.
Перфенюк П.В.
Подолян О.В.
Позюбан Т.А.
Руденко О.Ю.
Саенко А.
Саченко Н.В.
Сидорук Т.С.
Сиротюк В.В.
Сиротюк М.Е.
Шимоновський О.Б.
Юденков В.О.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
