Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U000445, 0110U006387 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення промислової технології виготовлення тандемних гетероструктур для фотовольтаїки методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань та впровадження їх у виробництво Назва етапу роботи Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 13-02-2012 Організація виконавець Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис етапу Розроблено технологію формування різких гетерограниць між тунельними діодами та фотокомірками, що утворюють тандемну гетероструктуру Ge/GaAs/InGaP. Отримано тестовий фотоелектричний перетворювач з трьома p-n переходами, на основі гетероструктури р-GaAs//р-InGaP/р-GaAs/n-GaAs/n-InGaP//p-AlInGaP/p-GaInP/n-GaInP/n-AlInP. Досліджено початкові стадії формування германієвих нанокластерів при відпрацюванні технології нарощування n-p переходу на основі германію. Апробована розроблена методика контролю електрофізичних властивостей епітаксійних шарів гетероструктури Ge/GaAs/InGaP з використанням ефекту Холла на установці HMS 3000. Проведені вимірювання тестових зразків. Розроблено та апробовано методику контролю фотолюмінесцентних параметрів гетероструктури Ge/GaAs/InGaP, яка базується на використанні фотолюмінесцентного картографа PHILPS NANOMETRICS. Розроблено методику контролю складу твердих розчинів, що входять в гетероструктуру Ge/GaAs/InGaP з використанням мікрорентгеноструктурного аналізу. Проведені дослідження складу епітаксійних шарів AlхGa1-хAs, InxGa1-xP, AlхIn1-xGaуP1-у, AlхIn1-хP, що входять до гетероструктур Ge/GaAs/InGaP. Розроблено методику електропрофілювання гетероструктур Ge/GaAs/InGaP, яка базується на використанні електропрофілометра Accent. Показано можливість контролю складних профілів легування з роздільною здатністю ~ 0,01 мкм. Розроблена та оптимізована технологічна інструкція виготовлення гетероструктури Ge/GaAs/InGaP в цілому. Опис продукції Розроблений, апробований та адаптований до промислового виробництва технологічний процес кристалізації трьохкаскадної епітаксійної гетероструктури Ge/GaAs/InGaP для фотовольтаїчних перетворювачів сонячної енергії методом МОС-гідридної епітаксії. На основі гетероструктур Ge/GaAs/InGaP виготовлені тестові оптоелектричні перетворювачі, які характеризуються максимальним значенням коефіцієнта корисної дії близько 33,9% (АМ1,5). Автори роботи Айвазян В.Г. Бобженко С.В. Ваків О.В. Губіш І.В. Долголенко О.М. Калашнік С.А. Кость Я.Я. Кравчун А.М. Круковський С.І. Лопатіна Г.М. Лук’янов А.М. Мачуський Є.А. Микитюк Т.В. Михащук Ю.С. Мрихін І.О. Наконешна Є.П. Оболонський В.О. Омельяненко М.Ю. Парфенюк П.В. Пономаренко А.О. Семенченко В.С. Сидорук Ю.К. Снітко А.М. Турєєва О.В. Туровський А.О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити