Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0212U000642, 0106U011410 , Науково-дослідна робота Назва роботи Радіаційні ефекти в напівпровідниках з ізовалентними домішками. Назва етапу роботи Керівник роботи Литовченко Петро Григорович, Дата реєстрації 06-03-2012 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Здатність атомів Ge виступати в якості рекомбінаційних центрів пар Френкеля сприяє зменшенню швидкості введення не тільки А-центрів і дивакансій, але й тривакансій у провідну матрицю Si1-хGeх. Опис продукції Виготовлені експериментальні зразки детекторів на кристалах Si1-xGex з використанням поверхнево-бар"єрної технології . Автори роботи Барабаш Людмила Іванівна Бердниченко Світлана Василівна Варенцов Михайло Дмитрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Гайдар Галина Петрівна Гроза Алла Аркадіївна Долголенко Олександр Петрович Дубовий Володимир Костянтиновия Кібкало Тетяна Іванівна Карпенко Андрій Якович Кочкін Василій Іванович Ластовецький Володимир Францевич Макуха Олександр Миколайович Марченко Лариса Сергіївна Пінковська Мирослава Богданівна Полівцев Леонід Анлрійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Шматко Галина Григорівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Радіаційні ефекти в напівпровідниках з ізовалентними домішками.
Керівник: Литовченко Петро Григорович. Радіаційні ефекти в напівпровідниках з ізовалентними домішками.. (Етап: ). Інститут ядерних досліджень НАН України. № 0212U000642
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку