Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U000802, 0110U006681 , Науково-дослідна робота Назва роботи Сенсори фотоелектричних та іонізуючих випромінювань на базі шаруватих напівпровідників: оптичні та мікроскопічні дослідження. Назва етапу роботи Керівник роботи Жирко Юрій Іванович, Дата реєстрації 03-04-2012 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження: шаруваті напівпровідникові кристали InSe і GaSe нелеговані і леговані домішковими атомами Cd, Zn, Ge, Sn. Мета дослідження: визначення оптимальних режимів гамма-опромінювання кристалів InSe і GaSe для їх застосування в якості сенсорів іонізуючого випромінювання зі стабільними в часі параметрами. Методи дослідження та аппаратура: енергодисперсійні та електронно-мікроскопічні, низькотемпературні спектральні оптичні дослідження. Встановлено, що зростання дози ?-опромінення до 1014?/cm2 для нелегованих кристалів, та легування домішкою Zn і Cd приводить до зменшення кількості дефектів по Френкелю і по Шотки, що дає змогу їх використання в якості робочих елементів сенсорів гамма-випромінювання. Опис продукції Проведено дослідження впливу радіаційного гамма-опромінення на оптичні властивості шаруватих кристалів InSe і GaSe нелегованих і легованих домішковими атомами Zn, Cd, Ge, Sn. Експериментально доведено стійкість кристалів до гамма-опромінювання в дозах до 1014 ?/cm2. Представлені механізми утворення дефектів по Френкелю і по Шотки та схема розташування донорних і акцепторніх рівнів в забороненій зоні кристалів. Автори роботи Жирко Юрій Іванович Скубенко Микола Андрійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити