Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0212U000893, 0108U008852 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологіі створення інтегрованих детекторів випромінювань на основі гетероструктур напівпровідник-сцинтилятор (А2В6 сполука) Назва етапу роботи Керівник роботи Перевертайло Володимир Леонтійович, Дата реєстрації 30-05-2012 Організація виконавець Державне підприємство "Науково-дослідний інститут мікроприладів" НТК "Інститут монокристалів" НАН України Опис етапу Розроблена технологія виготовлення омічних контактів до гетеропереходу на основі А2В6 (ZnSe), електрофізичні та фотоелектричні характеристики зразків детекторів з гетеропереходами Опис продукції Розроблена технологія гетеропереходів ZnTe/CdSe, виготовлені лабораторні зразки гетеро-переходів для інтегрованих детекторів випромінювань на А2В6 сполуках. Автори роботи Крюков Олександр Сергійович Перевертайло Олександр Володимирович Тарасенко Леонід Іванович Шкіренко Едуард Анатолійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розроблення технологіі створення інтегрованих детекторів випромінювань на основі гетероструктур напівпровідник-сцинтилятор (А2В6 сполука)
Керівник: Перевертайло Володимир Леонтійович. Розроблення технологіі створення інтегрованих детекторів випромінювань на основі гетероструктур напівпровідник-сцинтилятор (А2В6 сполука). (Етап: ). Державне підприємство "Науково-дослідний інститут мікроприладів" НТК "Інститут монокристалів" НАН України. № 0212U000893
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16


Роздрукувати цю сторінку