Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U000941, 0111U007674 , Науково-дослідна робота Назва роботи Квантові розмірні ефекти у тонкоплівкових і об'ємних структурах на основі напівпровідників V2VI3 та IV-VI і керування їх термоелектричними властивостями Назва етапу роботи Керівник роботи Рогачова Олена Іванівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 20-06-2012 Організація виконавець Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Опис етапу Об'єкт дослідження - кристали і тонкі плівки сполук V2VI3 і IV-VI різного складу. Мета роботи - приготування кристалів і тонких плівок на основі напівпровідникових сполук V2VI3 і IV-VI різного складу, дослідження мікро- і кристалічної структури, вимірювання механічних, гальваномагнітних і термоелектричних (ТЕ) властивостей в залежності від складу, температури, термічної обробки. Методи дослідження - рентгенівська дифрактометрія; оптична мікроскопія; електронна мікроскопія; вимірювання мікротвердості за кімнатної температури; вимірювання електропровідності, коефіцієнта Холла, коефіцієнта Зеєбека в інтервалі температур 77 - 300 К. Ампульним методом виготовлено полікристали напівпровідникових сполук: Bi2Te3 з різним відхилом від стехіометрії; Sb2Te3, PbTe з домішками PbJ2, PbCl2, Bi2Te3, Sb2Te3; PbSe з домішкою PbCl2 та із залишком Pb, SnTe з різним відхилом від стехіометрії, GeTe із домішками V, In та Bi. Проведена атестація усіх зразків: дослідження хімічного складу, ступеня гомогенності, мікроструктури, кристалічної структури, вимірювання мікротвердості, електрофізичних, гальваномагнітних та ТЕ властивостей в залежності від складу, температури, термічної обробки. Досліджено вплив домішок V, In, Bi на механічні, гальваномагнітні і ТЕ властивості GeTe. Одержано тонкоплівкові зразки сполук PbSe, PbSe, легованого 2 мол.% PbCl2 та SnTe з різним ступенем відхилу від стехіометрії, з різними товщинами шарів, типом і концентрацією носіїв заряду, а також залежності гальваномагнітних і ТЕ властивостей від температури, товщини плівок та кінетичних факторів. Опис продукції Виготовлено полікристали напівпровідникових сполук: Bi2Te3 з різним відхилом від стехіометрії; Sb2Te3, PbTe з домішками PbJ2, PbCl2, Bi2Te3, Sb2Te3; PbSe з домішкою PbCl2 та із залишком Pb, SnTe з різним відхилом від стехіометрії, GeTe із домішками V, In та Bi. Виготовлено тонкі плівки сполук PbSe, PbSe, легованого 2 мол.% PbCl2 та SnTe з різним ступенем відхилу від стехіометрії, з різними товщинами шарів, типом і концентрацією носіїв заряду. Проведена атестація усіх зразків: дослідження хімічного складу, ступеня гомогенності, мікроструктури, кристалічної структури, вимірювання мікротвердості, електрофізичних, гальваномагнітних та ТЕ властивостей в залежності від складу, температури, термічної обробки. Автори роботи Будник Олександр Валентинович Водоріз Ольга Станіславівна Нащекіна Ольга Миколаївна Ольховська Світлана Іванівна Рогачова Олена Іванівна Сіпатов Олександр Юрійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити