Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U001291, 0110U004655 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення та розвиток методу субмікронного топографування та паспортизації хімічного складу, структурної досконалості, електрофізичних параметрів та розподілу механічних напружень у наноструктурах електроніки і оптоелектроніки. Назва етапу роботи Керівник роботи Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 31-01-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено і вдосконалено апаратне забезпечення і діагностичні методи високороздільної скануючої конфокальної Раманівської, люмінесцентної і ІЧ Фур'є мікроспектроскопії та електронно-дифракційної мікроскопії для дослідження структурних параметрів, деформацій і хімічного складу у наноструктурах електроніки і нановуглецевих сполук із субмікронним просторовим розділенням. Методом конфокальної резонансного КРС досліджено одностінні вуглецеві нанотрубки при збуджені з енергією 1.92 3.81 еВ. Вперше виявлено резонансний ступінчатий характер зміни частоти комбінованих згинних коливань оТО та оТА. Методом картографування низькотемпературної ФЛ p-CdTe досліджено просторовий розподіл дислокаційних нанорозмірних дефектів в області дії наноіндентора. Методом мікро-КРС досліджено радіаційно-стимульовані фазові перетворення в плівках фулериту С60 опромінених іонами Ті+ (Еі = 140 кеВ). Для багатошарових InGaN/GaN структур досліджено випромінювальну рекомбінацію нерівноважних носіїв і отримані градієнтні асиметричні просторові профілі розподілу деформацій по глибині структури. Методом конфокальної КРС отримані і проаналізовані просторові профілі компонентного складу та пружних деформацій по глибині структури InAs/Al(Ga)As гетероструктур з InAs квантовими точками. Досліджено ефекти змішування LO-фононів з плазмовими коливаннями вільних носіїв заряду в GaN діодах і отримані профілі розподілу концентрації (рухливості) носіїв заряду по глибині структури. Методом скануючої ІЧ спектроскопії проведено топографування полікристалічних алмазних плівок. Встановлено просторовий розподіл їх структурних характеристик, хімічного і фазового складу. Методами мікроскопічної електронної дифрактометрії та мікро-КРС досліджено полікристалічні алмазні плівки і отримані просторі карти орієнтації зерен, фазового складу. Опис продукції Результати наукових досліджень будуть використані при вирішені фізичних проблем впливу структурних параметрів на оптичні та електронні властивості наноструктур, що є важливим як для науки, так і для технології. Розробка локальних методів діагностики дозволить проводити топографування динаміки зміни параметрів наноприладів, як функції електричного поля, струму, чи неоднорідного локального просторового розподілу температурних полів. На практиці розроблені методи необхідно застосовувати при виготовлені елементної бази опто- і наноелектронних пристроїв з використанням методів нанотехнологій. Розробка та введення в дію відповідних методик і апаратури для нанодіагностики матеріалів і приладів сприятиме поповненню дохідної частини бюджету України шляхом забезпечення виконання замовлень підприємств та організацій різної форми власності, створенню робочих місць, підвищенню якості підготовки фахівців вітчизняних університетів. Відсутність методик нанодіагностики і отримання просторових топограм із субмікронною ро Автори роботи Авраменко Катерина Андріївна Гонтар Олександр Григорович Коломис Олександр Федорович Куліш Микола Полікарпович Ніколенко Андрій Сергійович Романюк Артем Сергійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити