Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U001348, 0109U000574 , Науково-дослідна робота Назва роботи Синтез, ріст кристалів та властивості нових складних халькогенідних матеріалів твердотільної електроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Олексеюк Іван Дмитрович, Дата реєстрації 03-02-2012 Організація виконавець Волинський національний університет імені Лесі Українки Опис етапу Вивчено фазові рівноваги у системах CuGa, CuIn, Cd || S, Se і CuInSe2+2CdTe CuInTe2+2CdSe, Cu2GeS3-Cu2SnS3-CdS, CuGe, Cd || S, Se та на перерізах AICIIIX2-BIICIII2X4. Одержано монокристали виявлених фаз та вивчено їх деякі фізичні параметри, які вказують, що знайдені -тверді розчини в складних системах, а також тверді розчинів на основі CuInS2 та CuInSe2, що існують на перерізах CuInS2-ZnIn2S4 та CuInSe2-ZnIn2Se4 за своїми фізичними параметрами є перспективними матеріалами для поглинаючого шару тонкоплівкових сонячних елементів і їх можна розглядати як альтернативний матеріал фотовольтаїчних комірок на основі CIS. Утворення твердих розчинів у системі CuGa,CuIn,Cd||S,Se є однією із причин втрати ефективності сонячних елементів на основі гетеропереходу CIS/CdS з часом. Результати НДР можуть бути використані для розробки технології виробництва сонячних елементів. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єкта дослідження - розробка технології одержання тонко плівкових сонячних елементів. Опис продукції Найбільш цікавими і перспективними є результати одержані нами при дослідженні систем CuGa, CuIn, Cd || S, Se, CuInSe2+2CdTe CuInTe2+2CdSe, CuInS2-ZnIn2S4 та CuInSe2-ZnIn2Se4, в яких виявлено тверді розчини на основі фаз, які використовуються у виробництві тонкоплівкових сонячних елементів. Їх фізичні параметри вказують, на перспективність використання для поглинаючого шару тонкоплівкових сонячних елементів (альтернативно до CIS). Утворення твердих розчинів у системі CuGa,CuIn,Cd||S,Se є однією із причин втрати ефективності сонячних елементів на основі гетеропереходу CIS/CdS з часом Автори роботи Козер В.Р. Лавринюк З.В. Марушко Л.П. Піскач Л.В. Панкевич В.З. Парасюк О.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити