Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U001449, 0110U000229 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження та розробка напівпровідникових джерел інфрачервоного випромінювання підвищеної потужності в області спектру 2,5-5,0 мкм Назва етапу роботи Керівник роботи Мигалина Юрій Вікентійович, Дата реєстрації 06-02-2012 Організація виконавець Мукачівський державний університет Опис етапу Об'єкт дослідження - епітаксіальні гетероструктури InGaAs та InAsSbP, активні елементи з p-n-переходами, джерела інфрачервоного випромінювання, об'ємні оптичні покриття, багатокомпонентні напівпровідникові халькогенідні стекла. Мета роботи - вдосконалити технологію відтворюваного одержання твердих розчинів гетероструктур InGaAs та InAsSbP з p-n-переходами високої структурної досконалості із наперед заданими параметрами, одержати на їх основі випромінюючі активні елементи на однакових та різних довжинах хвиль у максимумі випромінювання в області спектра 2,5-5,0 мкм та дослідити їх електрофізичні і оптичні характеристики, одержати об'ємні оптичні покриття різної форми на основі багатокомпонентних напівпровідникових халькогенідних стекол із систем Ge(Pb)-Sb(Ga)-S(Se), розробити конструкції напівпровідникових джерел ІЧ-випромінювання підвищеної потужності випромінювання та запропонувати область їх використання. Метод дослідження - статистичний аналіз оптичних та електрофізичних характеристик. Результати НДР - одержані напівпровідникові джерела ІЧ-випромінювання на різні довжини хвиль в спектральному діапазоні 2,5-5,0 мкм в кількості 10 шт. будуть використані в Мукачівському державному університеті та Ужгородському національному університеті при створенні сучасних багатофункціональних оптичних пристроїв. Результати розробки також можуть бути використані для створення елементної бази багатофункціональних приладів газового аналізу і спеціальної техніки нового покоління в області безперервного контролю технологічних процесів у промисловості та теплоенергетиці, екологічного контролю викидів забруднюючих газів в атмосферу. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єкта дослідження - базуючись на проведених експериментальних дослiдженнях одержаних напівпровідникових джерел ІЧ-випромінювання можна впевнено стверджувати про їх перспективнiсть, як елементної бази нового покоління за рахунок відмовлення від механічних модуляторів випромінювання в приладах газового аналізу, що підвищить їх багатофункціональність, надійність та збільшить строк дії пристроїв. Опис продукції Розроблена технологія виготовлення епітаксіальних структур In1-xGaxAs в діапазоні складу 0ЈxЈ0,3 з буферним шаром та InAs1-x-ySbxPy в діапазоні складу 0 x 0,15; 0 y 0,18 на підкладках InAs. Зміна ширини забороненої зони твердих розчинів InGaAs/InAs та InAsSbP/InAs дозволяє реалізувати всі значення довжин хвиль випромінювання в області спектру 2,5-5,0 мкм. Збільшення зовнішнього квантового виходу АЕ у 2,5-4 рази досягнуто нами завдяки використанню як матеріал для оптичного покриття склоподібні сплави з багатокомпонентних ХС Ge(Pb)-Sb(Bi,Ga)-S(Se) з показником заломлення, близьким до показника заломлення АЕ при одночасному забезпеченні захисту АЕ від механічних пошкоджень, впливу оточуючого середовища та керуванні діаграмою спрямованості випромінювання. Автори роботи Блецкан Дмитро Іванович Глухов Костянтин Євгенійович Кабацій Василь Миколайович Ковач Ольга Павлівна Максютова Олена Володимирівна Мигалина Юрій Вікентійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити