Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U001605, 0111U006452 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фізико-технологічних основ виготовлення компонентів наноелектронних А3N-приладів для оптоелектроніки та НВЧ-техніки Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 14-02-2012 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Проведені дослідження по оптимізації параметрів багатошарової металізації для для отримання радіаційно-стійких і термостабільних контактних систем для наноелектронних приладів на основі групи тринітридів. З'ясовані механізми формування контактного опору в залежності від складу багатошарової металізації та технологічних параметрів отримання контактних систем. Результати досліджень були спрямовані на розробку радіаційно-стійких і термостабільних контактів для приладів і пристроїв НВЧ електронної техніки діапазону частот 150 300 ГГц, необхідних для створення сучасних радіолокаційних і телекомунікаційних систем. Опис продукції Встановлена радіаційна стійкість шарів бориду титану і цирконію в контактах Ti-Al-TiBx-Au і TiBx(ZrBx)-Au до n-GaN і в контактах ZrBx-Au до n-AlGaN/n-GaN до доз 1E6 Гр, які при цьому залишаються аморфними, не створюють сполук з елементами металізації і протидіють їх масопереносу, внаслідок чого контакти залишаються стійкими при цих обробках. Виявлено зниження на два порядки питомого опору омічного контакту Ti-Al-TiBx-Au до n-GaN і струмів витоку в контактах ZrBx-Au до n-AlGaN/n-GaN під дією гама-опромінення до дози 1E4 Гр, що пов'язано із структурно домішковим впорядкуванням на межі поділу метал-напівпровідник. Встановлено механізми деградації бар'єрних контактів TiBx(ZrBx)-Au до n-GaN при гама-опроміненні дозами, вище 1E6 Гр, пов'язані з процесами зростання дифузійної проникності шарів металізації аж до пороутворення. Автори роботи Кладько В.П. Конакова Р.В. Кочелап В.О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити