Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U002040, 0109U001332 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження процесів взаємодії випромінювання з шаруватими структурами. Розробка фізичних і математичних основ інформаційних технологій дослідження. Назва етапу роботи Керівник роботи Пеліхатий Микола Михайлович, Дата реєстрації 16-01-2012 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження: монокристали силіцію та шаруваті структури на його ос-нові; технології дослідження взаємодії іонізуючого випромінювання з шаруватими структурами, процеси радіаційного дефектоутворення і зміни механіко-електричних властивостей матеріалів і структур при їх взаємодії з потоками прискорених части-нок в різних умовах. Мета дослідження: отримання нових даних про механізми радіаційного дефек-тоутворення і зміни механіко-електричних властивостей матеріалів і структур при їх взаємодії з високо енергетичними частинками; виявлення залежностей характеру цих змін від параметрів іонізуючого опромінення; розробка теоретичних основ створення і використання прогресивних технологій комплексного дослідження про-цесів взаємодії іонізуючого випромінювання з шаруватими структурами. Методи дослідження і апаратура: прискорювачі заряджених частинок, опро-мінення альфа-, гама-променями, електронографія, мікроскопія (оптична, растрова), механічна спектроскопія, методи вимірювання і контролю електрофізичних власти-востей матеріалів, методи гармонічного аналізу, методи системного аналізу, методи фізичного, математичного моделювання, методи інтегрованої обробки даних та ін-форматики. В результаті виконання даної НДР було отримано такі основні результати: -показано актуальність проведення системних досліджень процесів радіаційно-го дефектоутворення в результаті проведеного аналізу основних теоретичних підхо-дів до вивчення проблеми радіаційного дефектоутворення та відомих результатів проведених експериментальних і теоретичних досліджень; -розроблено концепцію інформаційної технології системного дослідження процесів радіаційного дефектоутворення, реалізація якої в режимі АСНД створить умови для розробки системних експериментальних методик, системних моделей і технологій комплексування фізичних й імітаційних експериментів для подальшого дослідження процесів радіаційного дефектоутворення і зміни механіко-електричних властивостей матеріалів і структур в різних умовах; - досліджено ефекти, що супроводжують процеси формування шаруватих стру-ктур; на основі проведення електроскопії шарів діелектриків показано, що нові оп-тичні смуги поглинання, спад інтенсивності та їх зсув пов'язані із структуруванням діелектриків, показано, що в приповерхневих прошарках утворюються нові фази, які викликають механічні напруження, аморфність і полі кристалічність; - розроблено фізико-математичні моделі формування профілів розподілу вто-ринних частинок в металах, напівпровідниках і діелектриках; -розроблено математичну модель процесу радіаційного дефектоутворення при іонному опроміненні, побудовану на розрахунку спектру ПВА з використанням кас-кадно-ймовірної функції; -проведено експериментальні та теоретичні дослідження впливу іонізуючого опромінення, зокрема - і -променів, на внутрішнє тертя силіцію; показано, що попереднє як гама-опромінення, так і опромінення по відношенню до основного об'єму силіцію фактично є внутрішнім опроміненням електронами в результаті фо-тоефекту; гама опромінювання не може приводити до утворення дефектів гратки при безпосередній взаємодії фотонів з атомами кристалу; основним процесом є іоні-зація атомів, що породжує вільні електрони; попереднє гама-опромінення у порів-нянні з - опроміненням сильно підвищує максимальний рівень загасання, але при-водить до появи лише одного максимуму, пов'язаного зі збільшенням концентрації Е-центрів; енергія гама-опромінення така, що вторинні електрони мають енергію, недостатню для вибивання атомів силіцію, тому гама-опромінення не породжує центрів А-подібного типу (піків Б і В нема); У випадку - опромінення вплив на за-гальний рівень загасання не настільки сильний, але його дія все ж більш неоднорід-на і амплітудна залежність більш складна, свідчить про вибивання атомів основної речовини в міжвузловини високо енергетичними порівняно важкими частинками і вторинними електронами і про утворення рухливих у полі напружень дислокацій центрів А-типу. Результати роботи можуть знайти застосування при подальшому дослідженні процесів радіаційного дефектоутворення і зміни механіко-електричних властивостей матеріалів і структур в різних умовах, при розробці автоматичної системи наукових досліджень процесів радіаційного дефектоутворення, при створенні напівпровідни-кових матеріалів і виробів на їх основі із заданими властивостями. Отримані результати є новими і створюють об'єктивну основу подальших екс-периментальних і теоретичних досліджень процесів радіаційного дефектоутворення, впливу іонізуючого опромінення на властивості матеріалів і формування структур в різних умовах, розробки технологій системного дослідження процесів радіаційного дефектоутворення. Опис продукції Отримано нові дані про механізми радіаційного дефектоутворення і зміни механіко-електричних властивостей матеріалів і структур при їх взаємодії з високо енергетичними частинками; виявлені залежності характеру цих змін від параметрів іонізуючого опромінення; розроблені теоретичні основи створення і використання прогресивних технологій комплексного дослідження процесів взаємодії іонізуючого випромінювання з шаруватими структурами. Автори роботи Гернет Н. Пеліхатий М. Пунько Ю. Савчук Л. Сухова Т. Чуєнко О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити