Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U002107, 0110U005698 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні процеси детектування випромінювання терагерцового/субміліметрового діапазону за допомогою польових нанотранзисторів Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 21-03-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджено роботу польового Si-МОН (кремнієвий метал-окисел-напівпровідник) транзистору як приймача терагерцового / субміліметрового (ТГц) випромінювання в спектральному діапазоні 54-145 ГГц. Проведено вимірювання стік затворних та стік витокових характеристик Si-МОН транзистору при температурі 293 К та 77 К. Визначено його вольт-ватну чутливість до ТГц випромінювання та представлено еквівалентну схему для електричного узгодження з зовнішньою системою реєстрації. Зниження робочої температури Si-МОН приймача ТГц випромінювання призводить до збільшення його чутливості. Спектральна характеристика чутливості істотно залежить від частоти, поляризації та кута падіння випромінювання. Опис продукції Досліджено роботу польового Si-МОН (кремнієвий метал-окисел-напівпровідник) транзистору як приймача терагерцового /субміліметрового(ТГц) випромінювання в спектральному діапазоні 54-145 ГГц. Проведено вимірювання стік затворних та стік витокових характеристик Si-МОН транзистору при температурі 293 К та 77 К. Визначено його вольт-ватну чутливість до ТГц випромінювання. Представлено еквівалентну схему для електричного узгодження з зовнішньою системою реєстрації. Зниження робочої температури Si-МОН приймача ТГц випромінювання призводить до збільшення його чутливості. Спектральна характеристика чутливості істотно залежить від частоти, поляризації та кута падіння випромінювання. Автори роботи Сизов Федір Федорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити