Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0212U002295, 0107U005723 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізичних процесів у напівпровідникових матеріалах і детекторних структурах під впливом ядерного випромінювання Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Дата реєстрації 06-02-2012 Організація виконавець Науковий центр "Інститут ядерних досліджень" НАН України Опис етапу Проведено експериментальні і теоретичні дослідження особливостей впливу ядерного опромінення на електрофізичні властивості і процеси дефектоутворення в атомарних і бінарних напівпровідникових матеріалах і гетероструктурах. Досліджено і пояснено механізми підвищення радіаційної стійкості кристалів Si, опромінених швидкими нейтронами реактора, на основі введення ефективних деформаційних центрів прямої (Ge) та непрямої (кисень, аргон, дислокаційні петлі) анігіляції для вакансій і міжвузлових атомів. Показано, що серед зразків кремнію n-типу, вирощених різними методами (FZ,Ar,NTD), нейтронно-легований кремній (NTD), вирощений методом безтигельної зонної плавки в атмосфері аргону, має підвищену радіаційну стійкість до опромінення швидкими нейтронами. Встановлено, що наявність високої концентрації кисню перешкоджає виходу міжвузлових атомів на поверхню зразків і сприяє утворенню диміжвузлових дефектів. Вивчено структуру глибоких рівнів, які виникають у світловипромінюючих GaP діодах під дією нейтронного опромінення. При невеликих флюенсах нейтронів (Ф<1Е14нейтр./см2) виявлено радіаційно-стимульованe покращення вольт-амперних характеристик GaP світлодіодів. Проведено узагальнений аналіз впливу проникаючої радіації на оптичні характеристики монокристалів GaP, легованих Te. Встановлено, що кристали InAs<Sn> з концентрацією легуючої домішки ~(3-5)Е18 см-3 мають близьку до максимальної радіаційну стійкість і можуть бути використані як матеріал для створення радіаційно-стійких магнітних сенсорів. На основі теорії магнітоопору середовища з надпровідними включеннями запропоновано теоретичне пояснення експериментально виміряного стрибкоподібного збільшення опору при певному значенні магнітного поля в зразках InAs, опромінених альфа-частинками з енергією 80 МеВ при 200 oC. Показано можливість визначення координати вузького пучка швидких нейтронів з використанням поліетиленової плівки в якості конвертора нейтронів та кремнієвого стріп детектора для реєстрації протонів віддачі. З'ясовано, що в опромінених зразках напівмагнітних напівпровідників (гетероструктурах типу кадмій-марганець-телур) має місце суттєве збільшення розщеплення екситонних рівнів у магнітному полі в квантовій ямі, обумовлене зростанням ролі обмінної взаємодії екситонів з магнітними іонами марганцю, що проникають у шар квантової ями під дією опромінення. Опис продукції Проведено експериментальні і теоретичні дослідження особливостей впливу ядерного опромінення на електрофізичні властивості і процеси дефектоутворення в атомарних і бінарних напівпровідникових матеріалах і гетероструктурах. Досліджено механізми підвищення радіаційної стійкості кристалів Si, вирощених і легованих різними методами та опромінених швидкими нейтронами реактора. Вивчено структуру глибоких рівнів, які виникають у GaP світлодіодах під дією нейтронного опромінення. Виявлено радіаційно-стимульоване покращення вольт-амперних характеристик GaP діодів при невеликих флюенсах нейтронів (Ф<1E14см-2). Проведено узагальнений аналіз впливу проникаючої радіації на оптичні характеристики монокристалів n-GaP<Te>. Автори роботи Анохін Ігор Євгенович Барабаш Людмила Іванівна Бердниченко Світлана Василівна Бондар Микола Микитович Варенцов Михайло Дмитрович Васильківський Анатолій Степанович Верцимаха Ганна Віталіївна Воробйов Володимир Герасимович Гайдар Галина Петрівна Долголенко Олександр Петрович Дубовий Володимир Костянтинович Зінець Олег Сергійович Кібкало Тетяна Іванівна Ластовецький Володимир Францевич Лев Сергій Богданович Литовченко Петро Григорович Пінковська Мирослава Богданівна Полівцев Леонід Андрійович Сугаков Володимир Йосипович Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити