Реєстраційний номер
0212U002467,
0111U005422
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
"Розроблення фізико-хімічних основ технології отримання наноструктур для НВЧ-приладів з використанням модифікуючого впливу рідкоземельних елементів"
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Круковський Семен Іванович,
Дата реєстрації
29-02-2012
Організація виконавець
Науково-виробниче підприємство "Карат"
Опис етапу
Проведено розробку технології виготовлення епітаксійних структур на основі InP для діодів Гана. Виготовлено експериментальні зразки епітаксійних структур
Опис продукції
Розроблені фізико-хімічні основи технології виготовлення епітаксійних структур на основі InP для діодів Гана, на нанопористих підкладках, методом газофазної трихлоридної епітаксії. Епітаксійні структури характеризуються низькою густиною дефектів в активному шарі та на границі розділу фаз. Структури призначені для виготовлення високочастотних діодів, які використовуються при виготовленні медичної діагностичної та фізіотерапевтичної апаратури, різноманітної навігаційній та апаратури зв'язку, спеціального обладнання для моніторингу оточуючого середовища.
Автори роботи
Балюк Л.М.
Тимчишин В.Р.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
